游戏脑力 wrote:
386h 这个跑分 ...(恕刪)
密度 18A(238 MTr/mm²) N2(313 MTr/mm²)
18A背部供電可以 減少電力損耗 降低溫度 , 因為密度較N2低+電源線移到背面, 信號線+電源線層可以使用舊款EUV一次曝光就可以一層, 不需要High-NA曝光機,High-NA曝光機只做GAA電晶體層, 照理說 信號線+電源線線徑粗, 可以減少信號延遲 提高良率 降低成本。
就是 背部供電工藝 是A18良率關鍵。
只要18A能效優於N2.... 還是很有搞頭的。
































































































