fnf2000 wrote:Bridge處理器核心面積就缩小了,從而核心與頂蓋之間的接觸面积也會缩小,结果導致核心的热量不能迅速傳輸到頂蓋上,Ivy Bridge的温度控制反而不及Sandy Bridge優秀了。 我覺得是晶片的缺陷若是如此的話,金屬蓋和DIE之間的介質的熱傳速率就要更好但照理說,更小的製程散發的總熱量應該是更少的而1156以來INTEL的熱處理方案介質都是散熱膏的(之前有人解剖過)總不可能像以前prescott一樣再用類似液態金屬的軟錫把
袁暄期 wrote:更小的製程散發的總熱量應該是更少的 "更小的製程散發的總熱量應該是更少的"是沒錯但是再少的量也沒用因為傳不出去所以在低時脈下,因發熱量少所以很涼但越高時脈時,溫度會"急遽"上升應該吧
...........................................龍哪哪 wrote:果然這篇飲料店老闆來...(恕刪) -------------------------------------------------討雞~你的開箱文勒~是不是因為推土沒有比你現在的效能提升大躍進~所以不出手?比起在維基與各論壇測試~出現某些部分出現效能倒退嚕(比起前一代)這才是討雞你不出手的原因之一?討雞你至少也要開箱一下~那相信很多人都會認同討雞你的~-------------------------------------------------至於IVY~東西出了在來議論吧~
22nm 採用FinFET 結構, 原本planar結構下M0層的製程已不適用為了有更大的sourcr/drain silicide & metal contact面積,金屬會將整個fin給包住, 以獲得更小的接觸電阻但pitch與pitch之間的距離更小,這在high density SRAM 部分應該會有很大的問題須克服(個人猜測啦)不過Ivy Brdige 是第一次以FinFET製程來製造的CPU, 是積體電路上一大里程碑,意義可能比跨入90nm/45nm時 Strain/high-k metal gate技術來的更大但是...但是...若是我....我會買第2代的FinFET製程所生產的CPU