根據《華爾街日報》引述美國商務部消息指出，川普政府已同意注資最高1.5億美元、入股英特爾前執行長基辛格（Pat Gelsinger）的新創公司XLight，顯示川普支持國內具戰略重要性產業，扶持開發先進半導體製造技術的業者。
XLight是一家致力於改善極紫外光微影（extreme ultraviolet lithography，EUV）關鍵晶片製程的新創公司。根據規劃，美國商務部將會提供XLight資金，美政府將因此獲得xLight的股權，很可能成為該公司最大股東。
荷蘭半導體製造設備大廠艾斯摩爾（ASML）是目前全球唯一EUV光刻機生產商，每台機器造價高達數億美元。XLight旨在研究提升EUV製程的一個關鍵環節，也就是在化學處理過的矽晶圓上蝕刻複雜且極細微電路圖案的雷射技術，這家新創公司希望將其光源整合到艾斯摩爾的設備。
曾任英特爾執行長的基辛格，去年底因公司財務業績疲軟和生產擴張停滯而被董事會解雇。XLight的成軍也是基辛格在英特爾離職後職業生涯的第二春，目前他擔任XLight執行董事長。
基辛格12月1日受訪時表示，「我還沒完成我的使命，這對我來說極具意義。」
許多現任和前任美政府官員都批評基辛格在擔任英特爾執行長期間誇下海口，在美政府同意向該公司提供數十億美元資金和補貼後，卻又未能兌現承諾。
xLight的資金源自於2022年《晶片與科學法案》，該法案專門用於扶持具有前景技術的初期創業公司。此次為川普第二任總統任期內首筆《晶片與科學法案》撥款，但仍是初步協議，尚未完全敲定，仍有可能產生變化
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待過大公司頭頭的哪個沒有偏執問題? xLight 只是要增強ASML光刻製程/性能, 不是另立一個公司或產業來和ASML競爭.
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cruiseton wrote:
根據《華爾街...(恕刪)
https://www.xlight.com/
機翻+節錄：
目標是建造和部署粒子加速器驅動的自由電子雷射（FEL），用於美國關鍵的經濟和國家安全應用。
功率提升了 4 倍，從而實現了更精細的光刻圖案化，具有可編程的光特性，這不僅提升了現有性能，還能實現下一代光刻技術（例如，更短的波長）
透過提供高達 4 倍的 EUV 功率，晶圓廠可以優化圖形化製程、提高生產效率和良率，為每台掃描器每年帶來數十億美元的額外收入，並降低每片晶圓的成本約 50%。此外，一套 xLight 系統最多可支援 20 台 ASML 掃描儀，使用壽命長達 30 年，可將資本支出和營運支出降低 3 倍以上。
能源效率與用水量提高5倍
許多晶圓廠都受限於電力和水資源的供應——相比之下，xLight 的 FEL 系統可將每片晶圓的 電力和水資源消耗降低高達8 倍。
無需耗材
與 LPP 不同，xLight 的系統不需要錫或氫，從而顯著節省營運成本並提高可用性。
成熟技術，而非實驗品
xLight 目前正在建造一個功能齊全的原型機，該原型機將於2028 年投入運作並開始印刷晶圓。
解決方案
尖端半導體是經濟繁榮和國家安全不可或缺的關鍵要素。最先進的半導體製造流程依賴極紫外線（EUV）光刻技術——這項製程決定了每個晶片上電路圖案的解析度和精度。
目前的極紫外光源－雷射等離子體（LPP）－僅能提供目前光刻技術所需光照強度的25%，且在物理上無法滿足未來光刻技術和製程的功率需求。目前的光源是先進半導體製造領域的重要限制因素。
xLight 正在製造世界上最強大的自由電子雷射 (FEL)，以取代 LPP，並徹底改變先進半導體製造。
xLight 的系統將增強目前的技術路線圖，改變現有的半導體製造能力，並實現下一代晶片生產——所有這些都將降低資本和營運成本。
https://zh.wikipedia.org/zh-tw/自由电子激光器
https://technews.tw/2025/04/14/pat-gelsinger-joins-xlight-developing-euv-light-source-systems-as-executive-chairman/
目前，EUV-FEL 的技術大致分為兩種類型，包括振盪器 FEL 和自放大自發輻射（SASE）FEL。在振盪器 FEL中，來自電子加速器的電子束在波蕩器中發光，與存儲在振盪器中的波蕩器光相互作用，並放大 FEL光。然而，由於鏡面對短波長光的反射率較差，FEL 波長被限制在 100nm 以上。而在自放大自發輻射（SASE）FEL 中，加速器提供高質量電子束的自發輻射，在長波蕩器中自放大，無需任何振盪器和外部協助。它適用於短波長 FEL，使得 EUV-FEL 技術成為目前研究的主要方向。
根據此日本築波的高能加速器研究組織（KEK）的研究人員公布的基於 EUV-FEL 光源的研究論文顯示，EUV-FEL 光源的建設和營運成本粗略估計為 10kW EUV 功率 4 億美元和每年4,000 萬美元的運營成本。因此，1kW EUV 功率建設成本約 4,000 萬美元和每年 400 萬美元承運成本下，相較 LPP 光源的建設和運行成本粗略估計為 250W EUV 功率 2,000 萬美元和每年 1 ,500 萬美元，約當每 1kW EUV 功率建設成本為 8,000 萬美元和營運成本為每年 6,000 萬美元。顯然，EUV-LPP 光源的建設成本達到了 EUV-FEL 光源建設成本的 2 倍，運營成本更是達到了其 15 倍。
綜合來看，當前的 EUV-LPP 光源的成本也達到了 EUV-FEL 光源的 3 倍。其中，集光鏡的維護費用占了運營成本的大部分，原因是集光鏡會因錫屑的污染而老化，需要經常更換。另外，龐大的能源消耗也是一大成本。也就是說，採用 EUV-FEL 光源來代替 EUV-LPP 光源，綜合成本可以降低 2 倍以上。
雖然 EUV-FEL 光源相較 EUV-LPP 光源擁有著很多的優勢，但是其也面臨著體積龐大，難以融入現有的晶圓製造無塵室的問題。例如在現有標準 EUV 曝光機當中，光源位於機器本身的下方，而對於 High-NA EUV 曝光機來說，其 EUV-LPP 光源位於同一水平面上，因此任何其他的光源系統都必須考慮到這些作法。如果 EUV-FEL 光源被證實具有商業化價值，則或許 EUV-FEL 光源要融入下一代晶圓廠的設計將成為必要的設計。
值得注意的是，ASML 在十年前曾考慮轉向 EUV-FEL 光源，近年也在將 EUV-FEL 光源的技術進展與 EUV-LPP 光源技路線圖進行比較時，再次考慮轉 EUV-FEL 光源。但最終，ASML公司高管認為 EUV-LPP 光源帶來的風險較小，暫時放棄採用 EUV-FEL 光源的計畫。
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