babycan wrote:
先回樓上~架構製程...(恕刪)
從 Linley Group 與 Techinsights 實際分析的結果，包含英特爾、台積電與三星在 14/16 奈米實際線寬其實都沒達到其所稱的製程數字，根據兩者的數據，台積電 16 奈米製程實際測量最小線寬是 33 奈米，16 奈米 FinFET Plus 線寬則為 30 奈米，三星第一代 14 奈米是 30 奈米，14 奈米 FinFET 是 20 奈米，英特爾 14 奈米製程在兩家機構測量結果分別為 20 奈米跟 24 奈米。
文章出處
http://technews.tw/2016/07/25/intel-tsmc-samsung-node/
7 月 14 日，台積電 2016 年第二季法說，以電話會議方式參加的美國分析師 Arete researchz 分析師 Brett Simpson，問了一個突兀的問題。他竟然要台積電共同執行長劉德音比較一下英特爾預計明年量產的 10 奈米製程，與台積電兩年後量產的 7 奈米製程，性能特徵上的差距。
http://technews.tw/2016/07/23/tsmc-intel-magic-number/
所以製程方面就是客戶自己主觀說的‧
大家別太在意‧
