https://technews.tw/2022/12/20/nvidia-blackwell/
外媒報導，GPU 大廠 NVIDIA 接下來要發表的 Blackwell 架構 RTX50 系列顯卡，傳聞將是首款採用多晶片封裝技術 (MCM) 產品，性能也會大幅進步。不過消息要等到官方 2024 年發表後才能證實。
科技媒體 Wccftech 報導，身為 Hopper 架構後繼者，Blackwell 架構也會有消費等級產品。伺服器市場領域也會推新產品。兩者共通點就是採用台積電 3 奈米製程。
據市場消息，Blackwell 架構 RTX50 系列顯卡將使用串流多處理器模組 (Streaming Multiprocessor，SM) 技術，因 Blackwell 架構正轉向多晶片封裝技術 (MCM)，Blackwell 架構下使用高速連線連結小晶片與 SM 模組。將造加速器也會成為光追系統一環，有機會提升執行光追技術 RT 核心的效能。
Blackwell 架構的性能預期，市場人士大多不完全清楚，而是從 AMD RDNA 3 和 RDNA 4 產品性能比較後，大概得出 Blackwell 架構大幅提升的結論。伺服器顯卡方面，NVIDIA Hopper 發表時是世界運算速度最快的 4 奈米製程 GPU，也是世界第一個配備 HBM3 暫存記憶體的 GPU，規格甚至比後來含 16,384 個 CUDA 核心的 RTX 4090 更高，達 18,432 個 CUDA 核心的規格。
先前 NVIDIA 已揭露，Blackwell 架構伺服器產品將有四個 NVIDIA Blackwell 架構 GPU，預期相較 Hopper 架構有大幅性能提升。NVIDIA 的 Blackwell 架構命名是為了紀念美國統計學家和數學家 David Blackwell。他對機率學、概率學、訊息學及統計學等都有重大貢獻，也是第一位入選美國國家科學院的非裔美國人。
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有關Intel的情況，我過去也是說到非常多。 今早就有朋友跟我說Intel Ireland Lixilip廠EUV發光了，還有報導說這廠將會掌握全世界晶片的命運云云，聽了以後感覺就是，你XD先去睡吧! 看起來美國也有一些強國思維的SX存在。
去年我是預估Intel應該有三個廠區可以裝入EUV
一個是Oregan大本營
一個是Ireland Lixilip廠
再來就是Israel廠
並預估到今年至少要裝到5~10台EUV
才能為Intel下一代的Intel 4，Intel 3在2023~2024年量產做好準備兼作代工服務
這是一個基本機台量，不然是要玩啥子名堂?
而後面的Intel 20A，18A則由Arizona兩個廠2024年後承接，這不是就剛剛好?
結果Intel就是偏偏走上一條最保守的路。
在今年初Intel才下定了兩台EUV，後面又下定了兩台ASML Hi-NA EUV的預研機
之後就沒任何續下訂EUV機台的消息了
難道是我估錯了嗎?
現在答案終於揭曉，改建一個廠要花18個月，安裝點火發光也要數個月
所以時間都給磨光了，看起來Intel是非要等第一台全方位OK後，才會續下單吧。
反觀台積電當年從N7進到N7+的時間有多快
一比就知道差距何在了。
台GG當初為伺候這台EUV也是沒日沒夜的開幹
24小時再跟ASML與空白光罩商H牌，光阻劑廠商，TRACK機台商，檢測廠商合作
就搞死了一票工程師
這種能耐豈是Intel能比的?
事後台GG也沒像Intel一樣到處敲鑼打鼓的吹喇吧，反而就像是一個破了的鼓，怎麼都不發出一聲出來炫!
依照Intel這個進度
再加上EUV機台數量有限的情況下，Intel還要同時作自己與代工的產品
我也早說個這個是連神仙也做不到的事
除非明年因為不景氣
有些廠家例如SK 海力士(也訂了一台Hi-NA EUV)
Micron會因為降低投資
ASML也許有機會騰出幾台，但是數量還是有限。
所以
Intel要走自己產品兼作代工的生意，是不會那麼順利的。
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台積電手中
加上還沒交貨的EUV
應該有100台訂單了吧
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今年早些時候，愛爾蘭的 Fab 34 交付了第一台 EUV 光刻系統，這是英特爾 4 工藝技術的關鍵推動力。該系統由荷蘭製造商 ASML 製造，可以說是人類有史以來建造的最複雜的機器。
自到達以來，當地團隊一直在完成安裝階段，本周迎來了一個重要時刻，因為 EUV 掃描儀首次在愛爾蘭產生了 13.5 納米波長的光。這是英特爾4 技術大批量生產道路上的一個重要里程碑，也是歐洲首次使用大批量 EUV 掃描儀。
EUV 系統由 100,000 個零件、3,000 根電纜、40,000 個螺栓和超過一英里的軟管組成。Fab 34 大樓準備接收機器需要 18 個月的設計和施工活動。
在它到達萊克斯利普之後，產生第一束光的過程非常複雜，它依賴於多種因素的錯綜複雜的組合。從掃描儀本身的構建到設施系統的鑑定以及與公用事業的連接，需要團隊共同努力才能達到這一點。
在光刻工藝中，圖案被轉移到矽片上，為我們的集成電路創建藍圖。雖然光刻掃描儀多年來一直是製造微芯片不可或缺的一部分，但 EUV 掃描儀可以打印出比以往任何產品都更小、更精確的電路。
支持 EUV 掃描儀的系統從工廠的公用設施或地下室層開始，用於創建真空環境的真空泵和用於激光功率輸入的 RF 控制櫃位於此處。
在位於潔淨室正下方的 Subfab 中，我們有一個強大的 25KW 激光器，它以每秒 50,000 次的速度發射光，還有一套控制和淨化櫃。該激光通過光束傳輸系統向上傳播到位於主要晶圓廠潔淨室中的 EUV 工具。
在工具內部，熔化的錫滴被激光發射並撞擊兩次。第一次低功率衝擊將錫滴變成煎餅形狀。第二次高能撞擊產生 EUV 等離子體以形成 13.5 納米光，該光通過鏡子反射以拾取設計模板（稱為光罩）並將其圖案化到矽晶圓上。
本週，英特爾在歐洲的第一台大容量 EUV 掃描儀首次產生了這種光。
這一里程碑已經醞釀多年。在大批量生產中交付 EUV 光刻所需的規劃、準備和精度是無與倫比的。這一重要時刻的到來為 Intel 4 技術開闢了道路，該技術已在 2H 2022 之前為 2023 年的 Meteor Lake 等產品實現了製造準備就緒的關鍵里程碑。
英特爾獨特的工藝創新和採用英特爾 4 工藝的 EUV 方法使英特爾有望在四年內交付五個節點，並兌現其到 2025 年重新獲得工藝領導地位的承諾。
超過 100 名 ASML 員工與貿易承包商、英特爾工程師和技術人員團隊一起支持系統的構建和設置。
此外，來自當地英特爾團隊的許多人已經花時間在我們位於俄勒岡州的技術開發工廠進行種子分配，以確保 Fab 34 為這項出色的技術做好準備。
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INTEL 明年也要出四奈米了, 真的永遠追不上台積電?
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