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南無水蜜桃 wrote:
昨晚關鍵時刻在討論台g(恕刪)
小弟是鬼混人士
不然哪有時間可以上網...
然當然有最小尺寸
就是一層原子
像石墨稀就是一層原子
這種叫2維材料
不過用石墨稀來做電晶體應有難度...
用矽當半導體材料當然有瓶頸
其實最小線寬的尺寸是機械精度控制
光罩大約是4倍放大再微縮
7nm製程的最小線寬好像是6nm
有兩種方法,四重曝光與EUV製程
EUV的話就是6x4=24nm
也就是光罩上的線寬為24nm
這要用雷射掃描製作光罩
其實原理跟一般的雷雕機一樣
用雷射曝光光阻然後當遮罩蝕刻底下的金屬層
只是精度到奈米級...
古時候我做的光罩都是2微米等級,超low的....
至於超純水,也就是純水幾乎不導電
所以量測水的阻值來判斷多純
當作基準在後續的製程洗淨時不能有離子產生,不然量阻值就可以判斷洗的乾淨不乾淨了
記得以前在美國時自己親手長過氧化層
首先就是要洗淨
洗淨的程度就是看水的阻值
忘了後面要幾個9
才可以烘乾進爐管長氧化層...
健人就是腳勤
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