Stallings wrote:
參考
海產真的像洪孟楷
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Corvinus wrote:
以我淺薄認知，應該是閘極物理極限
穿隧效應導致漏電⋯
漏電可以改用高介電系數的材料, 我們稱作High-K材
現在用的是HfO2, 取代二氧化矽..
材質要配金屬閘級
所以製程叫做HKMG製程 (High-K Metal Gate)製程
因為以前閘極是poly-Si,可以擋高溫
所以可以先做閘極再離子植入製作N與P型矽
這樣可以有self-alignment功能(閘極與源極與汲極間自己對的準準的)
改成Metal gate後,就只能先做P與N型矽
再製作閘極
現在製程變成了gate-last製程
製程就是牽一髮動全身~
不要小看製程
大家都被GG寵壞了,甚麼7奈米5奈米...
大陸的中芯連28奈米良率都不行...
三星號稱可以做7nm, 良率不行
Intel的10nm等同於GG的7nm
但良率不行,高功耗的桌電CPU做不出來...
實在是GG太沒人性了...
健人就是腳勤
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