iPhone 6 Plus記憶體出大包！蘋果恐全面回收?

gp1288 wrote:
如果真是記憶體出包，不是軟體問題。

我覺得問題是出在TLC的特性上，
當可使用空間越來越少時，部份的區塊被寫入的次數會越來越多，TLC的缺點就是寫入次數，損壞的區塊一多起來，多到把備用區塊用完，控制晶片可能會把整個flash鎖定，完全死機。

所以重點不是APP裝了多少個，而是儲存空間被用了多少。

這問題所有的flash裝置都會發生，只是TLC比較不耐用罷了。

adreson wrote:












這次問題主要是TLC的問題.....
只是某些軟體如果很重複的讀寫某區塊~會加速TLC的死亡...
TLC晶片儲存容量變大，成本低廉，可讀寫次數比MLC少了數倍以上, 但也因為效能也大打折扣，所以僅能用在低階的NAND Flash相關產品上
那APPLE為啥用TLC???就是成本考量!!!

要看原因為何~~而不是看到文章是韓國的!!就一定是錯的~~這樣才會進步,了解嗎???...(恕刪)

鹹淡超人 wrote:
早就證實apple不...(恕刪)

鹹淡超人 wrote:
早就證實apple不是用TLC，是用MLC
早就證實apple不是用TLC，是用MLC
早就證實apple不是用TLC，是用MLC
怕有人眼花看不到，所以講三次。

adreson wrote:

可以幫忙貼一下資料說哪裡是MLC嗎???
我找不太到!!不要是新聞的哪種~有專業分解的文???感謝!!
...(恕刪)

ytldylan wrote:
可否幫忙抓一下資料，哪邊有說6S是MLC??
不然目前有講到記憶體規格的只看到這韓國報導.....orz
...(恕刪)

鹹淡超人 wrote:
請參照本樓的84F的...(恕刪)

adreson wrote:
那APPLE為啥用TLC???就是成本考量!!!
要看原因為何~~而不是看到文章是韓國的!!就一定是錯的~~這樣才會進步,了解嗎???..(恕刪)

巴龜 wrote:
抱歉打臉了http:...(恕刪)