TypeZero.PTT wrote:
iPhone 6/6+ 16GB版本為例，皆採用MLC，以下是資料：
SK Hynix H2JTDG8UD1BMS 128 Gb (16 GB)（ 資料來源）
這顆晶片的詳細資料（資料來源）：
命名規則（資料來源）：
原文：
出自自由時報
http://news.ltn.com.tw/news/business/breakingnews/1148472
〔本報訊〕iPhone 6 Plus傳出儲存功能出包，手機系統會發生崩潰、不斷重開機等現象。若情況屬實，蘋果（Apple Inc.）很可能會全面召回iPhone 6 Plus手機。有業界人士認為，若最後發現TLC flash真的是導致6 Plus系統當機原因，蘋果很有可能會全面收回6 Plus手機。
《AppleInsider》上個月就曾報導，iPhone 6 Plus只要使用者安裝超過700項應用程式（App）後，手機系統就會發生問題，不斷重新開機。有不少使用者都發生上述的情況，其中以128GB的機種情況最嚴重。
根據南韓媒體《BusinessKorea》昨日報導，蘋果很有可能為了減少大尺寸、大容量機款的成本，選擇了穩定度較差的NAND快閃記憶體，其中的控制IC很有可能就是罪魁禍首。
報導指出，蘋果所採用的快閃記憶體為三階儲存單元（TLC），是一種固態的NAND Flash，每一個快閃媒介單元都能儲存3位元的資料，其容量較單階儲存單元（SLC）、多階儲存單元（MLC）多上2到3倍，資料運算速度卻不如SLC或MLC，因而價格也比較便宜。
據了解，蘋果為節省成本，在蘋果大尺吋新機、最大容量的機款128GB iPhone 6 Plus與其它部分機種，採用了TLC flash。過去iPhone手機通常都使用穩定度較高、但價格也較貴的MLC flash，而TLC flash只會用在部分iPad機種上。
