8月iphone6發表前新聞
adreson wrote:
MLC的可讀寫次數大概是TLC的十倍.
在128GB的容量快塞滿, 會出問題的情況更容易發生.
另外有些APP程式寫不好, 會超大量的讀寫FLASH....
這就要保佑手機不要在一年半後才掛(過保固).
若Apple都不認為有問題時, 他也不會召回維修吧.
這時使用者只能求救無門.
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guanleex wrote:
經過我了解,apple的TLC是部分模擬SLC以換取速度(速度真的很快)
但是在儲存快滿的時候,就會產生問題(所以才會有裝滿的時候頻繁當機)
大大能麻煩您解釋一下何謂「TLC是部分模擬SLC」嗎?
一個TLC可以存3個bit，但實際只拿1bit來存取的意思？
如果真的要這麼做那應該也會預留一些容量來處理才對，
反正OS說沒容量就沒容量了，頂多就是系統保留或系統空間佔用多了些。
重點是如果真有其事，但是Apple否認，那就不是開玩笑的了吧？
全世界多少雙眼睛在盯著Apple，真要有這個問題Appl果想暪混
過去其實有很大的信用風險，個人是覺得有點不太可思議。
假如真的如大大所說的問題，那看起來也不是很難fix的吧？
與失敗為伍者，天天靠盃都是別人的錯。
與成功為伍者，天天跟失敗切磋直到不再出錯。
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PCIe SSD 與 TLC SSD 將成為 2014 年 SSD 市場重點
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SLC
傳統上，每個儲存單元內儲存1個資訊位元，稱為單階儲存單元(Single-Level Cell,SLC)，使用這種儲存單元的快閃記憶體也稱為單階儲存單元快閃記憶體(SLC flash memory)，或簡稱SLC快閃記憶體。SLC快閃記憶體的優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和儲存單元的壽命更長。然而，由於每個儲存單元包含的資訊較少，其每百萬位元組需花費較高的成本來生產。
MLC
多階儲存單元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每個儲存單元內儲存2個以上的資訊位元，其「多階」指的是電荷充電有多個能階(即多個電壓值)，如此便能儲存多個位元的值於每個儲存單元中。藉由每個儲存單元可儲存更多的位元，MLC快閃記憶體可降低生產成本，但比起SLC快閃記憶體，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和儲存單元的壽命較低，因此MLC快閃記憶體技術會用在標準型的記憶卡。另外，如飛索半導體的MirrorBit®技術，也是屬於這一類技術。
TLC
三階儲存單元(Triple-Level Cell, TLC)，這種架構的原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個資訊位元。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bit MLC。[2]
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那些說使用沒問題的大大,等使用一年快到時會如何
讓我們看下去..
各位別忘了,蘋果保一年,您買綁約機可不只一年阿..
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