kuniaki wrote:TLC 確實可以經由...(恕刪) TLC用的ECC應該是使用LDPC,而且修訂的極限一但要接近的時候就會mark bad了,另外data retention不是主要問題,TLC的問題應該是read disturbance,不過這個也是經過控制,而且現在對於data retention的問題,TLC NAND基本上都有flush的機制來做避免,不是你說的那樣喔~~~
oldbig9122 wrote:今天看了一個網站測試...(恕刪) TLC vs MLC 不是只有寫入次數的問題,也不是只有心情或價格的問題,在 iPhone 6 上,TLC 機型寫入速度,看起來就是不如 MLC。也就是說,用 TLC 的 iPhone 6,性能不如用 MLC 的 iPhone 6。是不是每個人都能感覺到那個性能差異是另外一個問題,但問題之所以爆出來,顯然是有些人可以感覺到差異,有些人在乎那些差異。目前看來,Apple 似乎選擇了用 RAM 當寫入快取來迴避這個問題。但除非 Apple 神奇的為用 TLC 的 iphone 6 另外增加了專用的快取記憶體,就算最理想的狀況下這個方法顯然也有副作用,例如:(1) 增加 app 或網頁重新載入的次數跟時間。(2) 排擠其他 app 需要的記憶體而增加 app 閃退的機率。(3) 增加白屏的機率。(4) 增加意外斷電時資料遺失的風險。此外,快取似乎並不可能解決所有 TLC 基本性能上的落差,例如需要大量寫入資料 (例如:影片複製) 的狀況,TLC 多半就是會比較慢。只反覆使用少數 app、或只在主畫面上滑來滑去的人,可能真的沒差。但不是每個人都是這樣用手機。我們也可以說在電腦上用 RAM 快取 + HDD,上 BBS 跟 SSD 一樣快,但不是每個人都只上 BBS。那些可以感覺到差異的人,應該有權繼續討論這個話題並尋求最好的解決方法。
其實看回應就知道,沒人回應專業版友的解釋,可以看出其實就算有常在關注電子產品的版大也是不太懂TLC,MLC,SLC的差異在哪,那更不用說是普遍消費者,大部分只知道他更廉價、不耐用如此,但這不就是消費者所在意的嗎?說真的128G使用TLC完全可以理解因為要小面積大容量,但你64G明明可以使用MLC,卻還跟TLC並用,我覺得如果64G都使用MLC那麼消費者就不會有太多疑慮,在64GMLC 128GTLC中選擇,哪個可以接受就買哪個,如今想要64G MLC得消費者在買64G時好像在拿錢跟他一博一樣,所以就造成今天這樣久久不能揮散的陰霾。
Geoffrey Ho wrote:TLC vs MLC...(恕刪) 沒有吧,TLC的寫入應該跟MLC不相上下~~~ TLC 主要寫入的方式應該是先寫SLC block之後再copy-back回去,所以你實際在用的時候,寫入速度TLC應該不會比MLC差到哪去,特別是如果他還有cache的話,那就更不用說,讀取的時候只要buffer夠大,其實不用load table的話,read也不會比較慢,您應該是不知道從哪邊聽到以訛傳訛的誤解~