這一根的顆粒跟 DDR3-1600是採用相同的爾必達30nm
應該體質會類似 ....!
按照國外的資料看來 ,
應該是可以上1600 跑 cl 9 10 9 9
不知道手氣好不好
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同一個顆粒 ,
11 11 11的時候可以跑 1600
9 9 9的時候可以跑 1333
顆粒的pdf上有說明時脈 :
(TC = 0°C to +85°C, VDD = 1.5V ± 0.075V, VSS = 0V)
這表示在1.575的工作電壓內是安全值 !
Notes: 1. DDR3 SDRAM component specification.
2. Under all conditions VDDQ must be less than or equal to VDD.
3. VDDQ tracks with VDD. AC parameters are measured with VDD and VDDQ tied together.
4. The AC peak noise on VREF may not allow VREF to deviate from VREF(DC) by more than ±1% VDD (for
reference: approx. ±15 mV).
5. For reference: approx. VDD/2 ±15 mV
爾必達建議參數:
完整資訊來源:
短網址: 原廠資料
QRCODE:
看來這 RAM 不適合加電壓~~~XD
明天找時間做不加壓測試吧 !
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所以記憶體跑 DDR3-1600 Bios降電壓到1.425v(作業系統中看到的1.44v)
自然
先跑一下 AIDA 的記憶體頻寬燒機 , 20分鐘 PASS
前面的小燒雞 , 看在有基礎穩定度下 , 開始看看性能 ! 因為參數太緊的話 , 反而會造成效能下降 !
一路看來都很 OK 於是乎~~~~
跑 LinX來燒機一下巴 !
原本預計要跑linX 20圈 , 誰知道出門的時候忘記關閉省電 !
所以只有跑5圈 XD !
這記憶體以我目前799的入手價來看 還不錯 !
算是超值啊~單條 8GB DDR3-1600 CL 9 10 9 24 T1
