MRAM 到底有沒有真的拿來個人PC 電腦中使用??

有看過商用MPU 如 8051 帶 FeRAM , 那 MRAM ??

FeRAM 就是鐵氧分子, 有看過部分 商用MPU , MICRO CONTROLLER 會有拿來做類似 EEPROM 功能 ,
使用鋯鈦酸鉛之類的 成鐵電電容器, 功耗更低,寫入性能更快 。
缺點包括:較低的儲存密度、儲存容量的限制和較高的成本。


MRAM 由於外部直流磁場導致長期施加的扭矩所帶來的干擾,MRAM 非常敏感 從飛思卡爾半導體分離出來的公司 Everspin 預計在 2012 年生產數百萬片MRAM,但市場現在更期待稱作 SST-MRAM(旋轉傳輸扭矩 MRAM)的第二代 MRAM 技術。這項技術使用隧道阻擋層替換了絕緣層,並使用自旋排列(極化)電子。主要優點是減少了寫入所需的電流,使它的速度可與讀取過程相比,並使高密度成為可能;但必須保持旋轉的連貫性,且高速操作仍需要使用較高的電流。
=> UCLA 使用電壓方式取代以前電流方式, 不但更省電還能把 MeRAM 提高密度4倍..

MRAM 到底有沒有真的拿來使用?


PCM memory 相變記憶體
缺點是高溫靈敏性。
優點: FLASH 有大約 5000 次寫入的額定值而 PCM 則有大約 1 億次。

RRAM => ReRAM 電阻式隨機存取記憶體 Elpida 已開發出了 RRAM 原型

文章關鍵字

andy2000a wrote:
FeRAM 就是鐵氧分子, 有看過部分 商用MPU , MICRO CONTROLLER 會有拿來做類似 EEPROM 功能 ,
使用鋯鈦酸鉛之類的 成鐵電電容器, 功耗更低,寫入性能更快 。
缺點包括:較低的儲存密度、儲存容量的限制和較高的成本。


MRAM 由於外部直流磁場導致長期施加的扭矩所帶來的干擾,MRAM 非常敏感 從飛思卡爾半導體分離出來的公司 Everspin 預計在 2012 年生產數百萬片MRAM,但市場現在更期待稱作 SST-MRAM(旋轉傳輸扭矩 MRAM)的第二代 MRAM 技術。這項技術使用隧道阻擋層替換了絕緣層,並使用自旋排列(極化)電子。主要優點是減少了寫入所需的電流,使它的速度可與讀取過程相比,並使高密度成為可能;但必須保持旋轉的連貫性,且高速操作仍需要使用較高的電流。
=> UCLA 使用電壓方式取代以前電流方式, 不但更省電還能把 MeRAM 提高密度4倍..

MRAM 到底有沒有真的拿來使用?


PCM memory 相變記憶體
缺點是高溫靈敏性。
優點: FLASH 有大約 5000 次寫入的額定值而 PCM 則有大約 1 億次。

RRAM => ReRAM 電阻式隨機存取記憶體 Elpida 已開發出了 RRAM 原型


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