週一美股記憶體與儲存股也普遍下跌，美光(Micron Technology，MU)跌3.88%，收989.04美元，失守1,000美元；閃迪(Sandisk，SNDK)跌5.97%，收1,487.33美元；SK海力士美國存託股票(SK hynix，SKHY)跌4.02%，收162.23美元；希捷科技(Seagate Technology，STX)跌3.80%，收753.25美元。市場擔心中國業者若以更低成本擴大供應，可能壓縮既有廠商的價格與獲利空間
中國記憶體大廠長鑫存儲宣布新一代DRAM架構取得重大突破，計畫年底前推出新款伺服器記憶體產品，消息一出震撼全球市場，不僅美股記憶體族群應聲走弱，台股記憶體與儲存類股今（13）日也全面慘跌，成為盤面最大重災區。
中國長鑫DRAM傳大突破
根據《南華早報》報導，長鑫存儲總裁曹侃宇週末在上海一場產業活動上宣布，公司預計於今年底前推出結合「4F平方」架構與混合鍵合等先進技術的新一代伺服器DDR5記憶體產品。目前業界主流仍為6F平方架構，而4F平方設計能將每個記憶體儲存單元面積進一步縮小，使同面積內的儲存密度大幅提升30%至50%。
長鑫存儲指出，這項技術的核心在於自主研發的垂直環繞閘極（Vertical Surrounding Gate，VSG）電晶體。透過垂直閘極架構，不僅能改善隨著製程微縮帶來的漏電與短溝道效應問題，更能大幅縮小單元面積，象徵DRAM技術正從傳統二維微縮逐步邁向三維集成的新階段。
記憶體族群全面重挫
受此消息衝擊，美國記憶體大廠美光等概念股日前率先走弱，韓股三星、海力士股價也出現7%以上的重挫。今日台股開盤後記憶體族群也全面臉綠，盤面上逾十多檔個股慘跌。指標股南亞科與華邦電跌幅均超過7%，旺宏跌幅達到8%，力積電與群聯跌幅也超過5%。
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eanck wrote:
是偷的就是偷的，因為...(恕刪)
長鑫存儲過去確實有紀錄偷取Samsung的技術，不過那個技術是製程面的技術，跟這次的4F2屬於架構類是不一樣的。過去有偷的紀錄跟這次的突破應該要分開看。
半導體業界就是這樣，常常偷來偷去。日本威力科創也派人來偷台積電的2奈米技術，INTEL/中鑫/三星也都"疑似"挖角高管以了解台積電的技術。聯電偷取美光的DRAM技術。XTAL偷ASML。
不過就算長鑫存儲真的4F2技術有突破，真正的關鍵還是良率，成本，客戶認證這些要經過考驗。繼續看下去
當美、歐反壟斷調查機構展開調查時，韓國三星（Samsung）率先向美國司法部與歐盟執委會自首舉報。轉為污點證人。韓國三星： 免除數億計美元的鉅額罰款。 台灣廠商： 奇美、華映、彩晶，支付了高額罰款
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完全沒辦法鬆口氣，因為產量太小了。 想買到價格正常點的記憶體，至少到2030年。
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eanck wrote:
長鑫存儲偷技術就偷技術，還要騙人說是自主研發，當沒人知道技術來源唷?
我懂了，原來是自主研發偷技術的竅門、手段。
密度增加30~50%又怎樣?
也不過就是從單條最大能做到24gb變成32gb。
南亞科 會重跌7%很正常，因為他目前的技術只能做到 ddr5 單條 16gb。
果然不知羞恥的中共國偷東西都一副明正言順、理所當然的厚臉皮死樣子。
目前全球3大廠把資源、資金、人力都集中在hbm、ddr6上，
ddr5的技術研發全面放緩，甚至終止。
如果美國沒有下hbm禁令，中共國會積極發展ddr5的技術嗎?
長鑫偷了人家認定非當下重點的技術，然後全力投入人力和資金，
偷了人家驗證過可行卻暫緩的技術，抄作業抄出心得了所以沾沾自喜?
笑死，就你清高?台灣當年叫海盜王國你知道嗎?現在整天一口一個台灣之光也不害羞!!
這世界就是這樣，成功者書寫歷史，失敗者狺狺狂吠。你台灣現在台積電成功了，自然可以說話大聲，但是要拿台積電來鄙視中國的記憶體廠??你問過台積電沒有??台積電能做記憶體嗎??不同賽道你懂嗎??
至於技術是偷來的還是買來的，等上市了自然知道，能賣到國外就表示沒問題，就不要到時候蘋果都用了長鑫記憶體，你還得感謝長鑫才有便宜iPhone可買。
嗆聲哥等雙標本來就是日常啊，符合黨的一貫特性跟翻車現場[XD]是說，文章竟然被刪了？[笑到噴淚]
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中國長鑫究竟突破什麼？竟引發全球晶片股暴跌
2026/10/14 11:06
〔財經頻道／綜合報導〕中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）一項最新技術進展，竟引發全球半導體股震盪！據報導，長鑫宣布在新一代DRAM記憶體架構取得關鍵進展，計畫今年底推出採用4F²技術的伺服器記憶體產品，消息引發市場擔憂，中國廠商可能加速縮小與三星電子、SK海力士及美光的技術差距，進一步威脅全球記憶體大廠的競爭優勢。
《IBTimes》指出，中國長鑫的一項技術進步，可能能夠生產出更有效率的記憶體晶片，從而在更小的空間內儲存更多的數據，此消息一出令投資者感到震驚。
根據《Morningstar》10月14日報導，長鑫的新技術消息加劇投資人對中國競爭的疑慮，三星與SK海力士自週一開盤以來，股價分別累計下跌約13%及15%。美國記憶體大廠美光與SanDisk也在13日分別下跌約5%及3%，歐洲半導體設備及晶片業者ASML、BE Semiconductor與意法半導體則下跌約2%至4%。
這項技術究竟有何突破？根據《TrendForce News》報導，長鑫總裁曹堪宇10日在上海舉行的產業會議上，介紹新一代4F² DRAM架構。相較目前主流的6F²設計，4F²可縮小單一記憶體單元所占面積，理論上使相同晶片面積的記憶體密度提高約30%至50%。
長鑫採用的技術包括垂直環繞閘極電晶體（VSG），有助改善電晶體控制能力，降低漏電流及短通道效應，並探索利用晶圓混合鍵合技術改善記憶體單元與周邊電路的連接。曹堪宇表示，公司已公布超過300個與4F²架構相關的專利家族。
值得注意的是，長鑫計畫今年底推出採用新架構的伺服器DDR5 RDIMM產品，顯示其正積極切入原本由國際記憶體大廠主導的伺服器市場。
《Morningstar》股票分析師Jing Jie Yu指出，長鑫的宣布打亂市場對新一代記憶體技術開發時程的預期。如果長鑫能比競爭對手更早實現商業化，將凸顯中國DRAM產業的技術競爭力。考量中國正在快速擴張DRAM產能，也可能增加未來市場供應過剩的風險。
不過，三星與SK海力士同樣正在開發4F²相關技術。TrendForce News指出，三星已展示結合4F²單元與混合鍵合技術的16Gb原型產品，而長鑫年底推出新產品，也不代表已具備大規模量產能力，新產品甚至可能僅部分採用4F²架構。
此外，《路透》指出，這波半導體股跌勢也受到市場對AI投資支出的擔憂影響。博通執行長陳福陽日前將部分AI投資行為比喻為賭場投機，進一步加重市場疑慮。因此，長鑫技術消息雖然引發全球記憶體股賣壓，但新架構能否真正實現商業化，仍有待觀察。
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