R1688 wrote:我還以為只有我比較倒...(恕刪) 我有碰到跟你一樣的問題,一樣是一天後就掉到跟你一模一樣的速度(一樣手癢一直測)我的解決方式是先把系統使用W7的備份映像出來,在做一張修復光碟再來使用原本的HDD開機BIOS設回IDE模式SSD接在主機板的Marvell晶片提供的SATA槽上(因為如果接在南橋的SATA槽上執行工具程式會發生錯誤AMD-SB750)再來進系統把SSD的磁碟配置刪除接下來就執行原廠下載的工具軟體執行secure erase 成功會顯示訊息接下來把SSD接回原本的SATA-1進BIOS開AHCI後,執行修復光碟光碟還原原本SSD的系統速度就回復了PS:測試軟體不要一直跑,跑一次數據大概就知道了,不然一直寫入一下SSD就髒了SSD就又變龜速了另外請教一下新好男人大大關於內建的GC功能主要的功用是啥不太清楚,是讓SSD寫入速度唯持,還是減緩衰退速度而已呢?
mark_lu wrote:我有碰到跟你一樣的問...(恕刪) GC跟TRIM的作用效果,分成壽命跟效能兩種SANDFORCE是偏壽命,通常整顆SSD髒了之後,TRIM跟GC只能讓SSD維持在8成左右的寫入MARVELL方案通常在GC跟TRIM的作用下,寫入不大會掉
linczs2000 wrote:要是沒問題沒必要一直...(恕刪) mark_lu wrote:我有碰到跟你一樣的問...(恕刪) 我自己心裡也有底,感謝提醒 畢竟測試都是做讀寫的動作~~不過剛入手,看了一下有的人碰到的狀況~還真會擔心在我不知不覺中發生嚴重的掉速 畢竟我可是從這種等級的硬碟剛換上來的,可能感覺不出掉速 不過買來幾天內測了幾次,沒掉速還升速,確定可以安心使用後就封刀不測了
linczs2000 wrote:GC跟TRIM的作用...(恕刪) 感謝回答,看來當初選錯方案了,MARVELL方案看來比較理想一點再請教一下若沒亂測,單純上上網偶而打打線上遊戲,大概都晚上6點開機到1點,系統使用大約40G左右,休眠有關掉,分頁檔設最小800M,以這棵120G的SSD這樣操作下來大約多久會髒掉呢?,因為要執行secure erase重製 還蠻麻煩的,而且對SSD壽命好像也有影響
Deathlord wrote:昨晚在板上討論ezl...(恕刪) 一樓的大大,你的SSD看來是真的有問題的,應該直接要求換新,或者直接退貨!Flash的架構是Plane-Block-Page,以Intel 34nm MLC 4GB為例,1page=4KB,1Block=128page,1Plane=2,048Block,所以1顆Die就是4KBx128pagex2048blockx2plane=4GBFlash建構而成的SSD,要先把所有物理的Block重新編成一個邏輯的映照表,在一個全新未使用過的SSD,大部分的Block都是沒有資料在的,為了提高寫入速度,以寫入32KB的資料量,最快的方式,就是把資料分拆成8個4KB,由8個通道分別寫入4KB,然而這樣最大就要用掉8個Block,這樣的寫入放大率是很大的,寫入放大率= 使用容量 / 實際寫入容量 , 寫入放大是Flash壽命的天敵.Flash的寫入模式是Copy-Erease-Program,既使要寫入1Byte的資料還昃要用掉一個Page,而這個Block就會被標記有有效資料存在,隨著時間的增加,有些資料會被標記為無效,一個Block內若是無效資料或不存在資料的page佔一定比例,就可以視為一個己經髒掉的Block. 再次寫入到這個Block就需要先做Copy和Erease,所以寫入的效能都會下降,為了提升寫入的效能,所以就有了所謂的GC, Garbage Collection,原理就是把利用率低的Bolock回收,把有效的資料集中寫入到另一個Block,空出更多可以直接被寫入的Block,說白了只是提早把Copy和Erease做完,直接做Program.SandForce和Marvell的架構不同,作法也不同,對兩者了解有限,不敢多做評論,以目前的作法和認知,個人比較喜歡前者,不同否認地,Plextor的宣稱長時間維持效能不墜,讀寫效能也很好,但是不知道他們在寫入放大這一塊是不是也有很好的演算法去有效降低,從以往三星的PM810及Micron C300在Marvell的寫入放大率的表現,不敢抱太大期待,當然,寫入放大對每個不同使用者的寫入資料類型和使用習慣會有差異.SandForce的作法比較類似Intel,預留了一部分的Redundant,叫作RAISE.這就是為什麼64GB的Flash,做成Flash之後的可用空間是55.9GB稱60GB,而不是可用空間是59.xGB稱64GB.128GB的Flash則是可用空間111.xGB稱120GB,而不是可用空間119.xGB稱128GB.Intel的做法稱之為Over-provision,除了可以提高IOPS,對SSD的寫入壽命也有很大的幫助!以G2(一樣是有DRAM Buffer)160GB的SSD若是預留16GB做Over-Provision,4KB IOPS會由1400提高到3500,總寫入量會由29TB提高到68TB.會不會這也能合理解釋Intel有了Marvell Solution的510以後,還要來一個SandForce SF-2281 Solution的520,但最終Intel還是會推出自己的吧,期待中!
mark_lu wrote:感謝回答,看來當初選...(恕刪) 120GB髒了應該還是有100MB/S左右的寫入實力而且對SANDFORCE的壓縮特性來說,只是寫入的起點降低這種降速一般來說是無感的,除非有高速來源在做無法壓縮的大檔案傳輸
對了我有發現一個問題就是重買來到現在監控健康度時(原始讀取錯誤率01)與(ECC運作中次數C3)的RAW一直在增加這樣是正常的嗎?我爬了一些開箱文只看到有一篇60G的開箱文跟我一樣這裡的數值很高,其他人的則都是0我有換過一台電腦監測還是會一直增加,這是代表flash可能有損毀點了嗎?