NAND Flash技術競賽跑過頭效能下降、不適用SSD眾廠猛推存疑慮

小仲827

133分

21樓

小仲827

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文章編號：16068383

johnnydee wrote:
INTEL新的G2真...(恕刪)

我第一次聽到wafer 中間跟邊緣所切出來的晶粒,效能會有差別 orz

可能是我孤陋寡聞吧.... ^++^

johnnydee

454分

22樓

johnnydee

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文章編號：16070921

jom1216 wrote:
不過看到很多G2災情...(恕刪)

當然我用過G2 160G，在初版FW下，把Flash做超過24hr的讀取/寫入測試，最後閒置(讓它的GC作動)超過24hr，再來測試速度，沒想到速度不但回不來，而且那顆160G還無法在重新切割分割區或者安裝系統，早已經被我送回去了。

我會這麼說，難道你都沒看到"G2"用的34nm其實並不是好東西，所以賣價可以降成這樣。

倒不是我用G1就說G1很好，而是G2真的沒有比G1好，我幹嘛去硬推G2好?

johnnydee

454分

23樓

johnnydee

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文章編號：16070959

小仲827 wrote:
我第一次聽到wafe...(恕刪)

看看他的賣價，除了Flash本身是變動價格以外，G2與G1同樣80G相比，兩者差價差太多了，你可以去問問Flash產業工作的人，Wafer邊緣跟中間有沒有差就好。

yeh9181

0分

24樓

yeh9181

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文章編號：16073782

2-bit-per-cell===>2倍
3-bit-per-cell===>3倍
4-bit-per-cell===>4倍
X-bit-per-cell與容量的關係應該是上面這樣才對喔。

3-bit-per-cell是說一個cell可以program 3次，所以是三倍，並不是用2^3來看。

小仲827

133分

25樓

小仲827

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文章編號：16074204

johnnydee wrote:
看看他的賣價，除了F...(恕刪)

就DRAM 製程來說,並沒有所謂wafer中間與外圍的die有效能的差異,只有良品與不良品的差別而已

NAND flash 製程我就不確定了,還有請版上高人指點....

Cudacke Dees

89分

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Cudacke Dees

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文章編號：16075262

小仲827 wrote:
就DRAM 製程來說...(恕刪)

這個版面上把 wafer 中間跟邊緣顆粒的 "效能" 拿來比的人,
你是第一人, 也是唯一一人耶....

jom1216

221分

27樓

jom1216

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文章編號：16076592

把Flash做超過24hr的讀取/寫入測試，最後閒置(讓它的GC作動)超過24hr

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請問...
如果是傳統碟...或傳統碟組raid.0
您有做過這樣的燒機測試嗎

正常使用下
保護SSD的寫入次數都無所不用其能了
還超過24小時的不間斷讀/寫

以您做這樣的測試
僅能說尊重也接受您的實驗精神
但..並不能代表G2 nand是爛貨
這樣的指控....
太沉重了

魚與熊掌不可兼得
又要便宜又要大碗
難道G2 只能用SLR顆粒賣幾個萬才能平你之怒嗎?

----^^