個人積分：712分
文章編號：57449299
個人積分：526分
文章編號：57453666
個人積分：712分
文章編號：57458283
個人積分：1969分
文章編號：57463257
個人積分：465分
文章編號：57524242
個人積分：27分
文章編號：57546683
個人積分：22分
文章編號：57551369
個人積分：343分
文章編號：57554552
個人積分：712分
文章編號：57555706
changpizz wrote:
三星在顆粒技術上確實是第一強的,拒絕的原因是,三星就只想扒消費者的皮,
也因為強大的能力,所以擺明要搶錢,從售價跟TLC容量差異上,使毛利變成超高.
反觀MLC部分,至少讓很多人手中,擁有可用一輩子的產品,到目前才逐漸扭轉劣勢.
其實我剛從日本Amazon查850 EVO這顆較大眾的250G SSD
日圓換算過來才3000台幣
和我們台灣常買的那幾顆250G SSD相比並沒有比較貴
三星的毛利有沒有較他廠高我是質疑的
因為為了做大SSD容量→製程縮小→單一顆粒容量更大→成本更低
現在市面狂打的15/16nm顆粒的SSD就是為此目的
但三星不走這個路線
三星藉由自家技術:堆疊顆粒 就可以把容量做大
850 EVO使用的是二代3D V-NAND
堆疊數達到32層（剛發表的第三代是48層）
也是三星因為不需要靠製程縮小來降低成本
所以850 EVO使用的是遠古時代的40nm TLC
壽命和穩定度要勝過大家懷念的25nm MLC不是問題
當然顆粒本身和他廠顆粒也有小小的不同
對提升穩定度和壽命也有幫助
大家有興趣可以自行google
個人積分：343分
文章編號：57555757
jinshun000 wrote:
其實我剛從日本Amazon...(恕刪)
3D之後即使看起來製程並沒有也下探,但實際上成本跟16nm就已經是相同的.
這並不光是三星能如此,換成Intel TOSHIBA 或海力士,也都有相同的優勢部分.
另外就是說如同25nm的顆粒穩定度這部份,還要看定義標準為何,
要確認說法是認為:
1.PE耗盡前沒錯誤
2達到多少容量後才錯誤
3在特定壓力環境中運行多少後錯誤.
大概舉例這三種定義可能,因為這就是一直以來,SSD等級上的評估差異.
至於技術部分,自然每一家採用的都是不同的技術方式去達成,這部份沒有多少爭議性,
不過突然要我列出說明,我也列不出來,反正去看文件內就應該都有說明了.
對了! 不能因為多談個3D技術,就認為TLC跟MLC又是同條件的比較了.
壽命跟錯誤率也都是靠controller搭配才有的,無論由原來BCH怎麼去改成新的架構與強化,
ECC方面的複雜性與運作的壓力,還是都依然存在著,即使認為可媲美MLC,但它依然是不同.
其條件改搭配在MLC上面使用後,這時的TLC劣勢又被加大了.
人的年紀落差,並不會因為過了幾年,就反過來被年輕者超越,這就是其模糊焦點說詞而已.
