z10100515 wrote:
MX300掉速後的速度是250MB/s左右才對。(恕刪)
MX300要525G以上才有250MB/s,而MX200 500G則是400MB/s...
圖來自於PCEVA
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24L-II wrote:
MX300要525G...(恕刪)
啊...我沒注意到你說的是275GB的版本，SORRY
jinshun000 wrote:
3D TLC >>>> 2D MLC
就耐用度來說的話也是如此
如果不相信的話可以去查美光3D TLC是怎麼做的
我的來源都是官方資料
但懶得一而再再而三的解釋了
目前3D TLC在"本質"上，
不管是速度還是壽命，都還是輸2D MLC啦~
如果2D MLC是用比3D TLC更舊的製程，那3D TLC只會輸更多。
MX300和SU800會比較快是主因是用了動態SLC快取技術*。
INTEL 600P 256GB，掉速後的速度大概100~120MB/s，
因為他是用固定的SLC快取，寫入約10GB就掉速了，
SU800掉速後也比MX300慘，
應該是控制器或韌體不一樣所產生的表現差異。
關於3D TLC的優勢到底是甚麼，
之前01論壇中關於3D TLC的討論，我有提到類似的資訊:
http://www.mobile01.com/topicdetail.php?f=490&t=4988589&p=2#62440156
*但是這技術會加速TLC顆粒的死亡，
否則MX300的TBW會更高。
以750GB為例，
美光32-LAYER 3D TLC，
官方P/E值是1500(LDPC)，
理論TBW不只220，
就算是用BCH，P/E值500，
理論TBW也不只220。
所以INTEL 600P的TBW比MX300高合理，
不過，SU800 512GB的TBW是400，
不知道為何可以比MX300高那麼多
同時也比600P高，
我不知道400這個值的可信度如何，
畢竟，威剛的官網也沒寫，
TBW若真的比他牌還高為何不寫
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z10100515 wrote:
那請問你是如何在不看TBW的條件下得知3D TLC大幅比2D MLC耐用？
美光目前上市的3D TLC，p/e值是1500，新製程(16nm)2D MLC會比他低？
還是你又要說看p/e值不準？那請問要看什麼？
美光的MX300到底是用多舊的製程？
你兩個月前還說美光3D NAND用的不是16nm就是20nm，你忘了？
既然那麼厲害，為何SX930敢做五年保，而SU800只做三年保？
你說的官方資料方便分享嗎？
懇請解惑，謝謝。
那個時候是沒想到美光會走三星當年的老路
而且當時的資料的確不足(現在的資料仍是很少)
所以我承認我當時的說法是錯誤的
關於美光3D NAND大部分的資料都是從這流出的
假使看不懂人家在幹嘛、或聽不懂(英文)也沒關係
反正只要記住美光3D NAND會強於2D (MLC)的原理
和三星SSD非常類似就對了
TBW和保固年限相對於SSD真正的耐用度一直都是很間接的指標
我只能這麼說
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MaxineGoodal wrote:
我也還蠻想了解
3D...(恕刪)
簡單說一下~~~
製程越先進(20nm => 16nm)，電晶體就會越小顆
每單位面積，可以規劃出越多電晶體，成本降低
也就是相同花費下，可以製造出更多電晶體，SSD的容量就會更多
但...缺點就是壽命更短
先進製程，電晶體更小了，但...電子，並沒有因此微縮。
電子在電晶體中的移動(開關次數)，會慢慢損耗電晶體壽命
舊制程，因為規模較大，電子移動帶來的損耗就會比較小
簡單舉例...
可以想像用衛生紙做成一個盒子，把網球裝起來，幾次搖晃之後，衛生紙破裂
如果改成厚紙板(舊製程)，可以禁得起更多次的搖晃(損耗)
所以舊制程的寫入次數是較高的。
"我的認知是在理論的讀寫次數上TLC是高於MLC的，相對的壽命就會比較短一點"
這是錯誤的。
MLC的寫入次數(壽命)，是高於TLC很多，操作速度也比較快。
1倍的SLC的容量，可以規劃出2倍的MLC，3倍的TLC
相同成本下，製作TLC可以得到最大容量
但是代價就是~~~寫入次數最少，操作速度最慢。
3D TLC，就是將原本平面的製造工藝，增加垂直面的堆疊，疊的多，每單位面積就有更多電晶體，容量也大幅提高。
(目前美光3D TLC工藝是32層堆疊。)
3D化可以大幅解決容量的問題，但是TLC壽命問題依舊存在
採用舊制程工藝，可以提高TLC的寫入次數，提高堆疊之後的良率(猜測)
所以，在"相同體質"的情況下，3D TLC(2X nm ?)的寫入次數，是絕對高於2D TLC(15/16 nm)
其實~~~體質影響也是很大的
製造出來的，有好有壞，最好的就是特挑，好的就打上自己的標籤，爛的就沒打上自己的標籤(所以市面上有些沒印上標籤，白片)
"印象中"，那種體質很糟糕的MLC，寫入壽命甚至比特挑的TLC還低
不同的製造商，做出的水準也是不同，像是Toshiba的2D TLC就比美光2D TLC好。
最後SSD的實際壽命，還要考慮主控，錯誤更正碼(BCH or LDPC)、操作策略。
我是比較採信實際測試
像是對岸PCEVA的寫入測試+燒烤測試
M7V採用的是企業級特挑eTLC顆粒，整體效能好，但...實際上在2000 P/E之後，就陸續出現少部分資料毀損、無法讀取的狀況
不過最後還能活到5000P/E以上，跑效能測試還是猛猛的，最後無預警掛掉。
http://bbs.pceva.com.cn/thread-133109-1-14.html
http://bbs.pceva.com.cn/thread-135950-1-4.html
另一個則是UV400，TLC，效能相比之下就慢，但特色算是犧牲效能、保資料。
在相同測試下，最後活到3500P/E，在後期，效能已經慘不忍睹，但~~~資料都保護的好好的，並無毀損。
最後3500P/E以鎖盤的方式，保護資料，結束生命。
http://bbs.pceva.com.cn/thread-135981-1-5.html
美光的3D TLC理論上應該是能超越2D TLC，M7V、UV400
但...比較遺憾的是，還沒看到3D TLC的壽命測試。
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