高速效能,急速享受-OCZ VERTEX 4 128GB


dddaiel wrote:
居然從INTEL顆粒...(恕刪)


OCZ不只一次被抓到前幾批用高檔規格
後來偷偷cost down換零件

mangsho wrote:
這顆速度ok,但自從...(恕刪)


你從INTEL換成OCZ的顆粒 太厲害 給你一個讚

dddaiel wrote:
遊戲在SSD裡面寫入...(恕刪)


其實小弟爬文後得知那應該不是保護機制,而是不得以的作法
MLC顆粒是2bit cell,其中Low bit寫得快,High bit寫得慢
可是同Cell卻分屬不同Page,一般設計會盡量在同次動作內交互存取這兩頁page
也就是盡量同時填滿所屬Cell內的Low bit跟High bit

因為假如一個Cell在Low bit有資料,卻要寫入High bit的時候
你這時必須要讀取Low bit,抹除,寫入Low bit跟High bit
除了速度會被拖很慢之外,又要多一次抹除的動作消耗顆粒的生命

Vertex 4的作法就是全部都先用Low bit
Low bit寫滿時,開始將兩頁Low bit Page合併成一頁Full bit Page
這也就是為何你跑連續測試時,寫入前半可以超過400MB/s,後半卻只剩80MB/s
因為在寫入後半時,同時要整合Page並且還要寫入資料,所以就變得非常慢

可是GC平時在沒事時候也會自動做合併Page的工作
例如你寫滿一半,擺一陣子,這時原本寫滿的Low Page就合併成一半的Full Page
再跑測時,就會發覺連續寫入效能還是很高

一般SSD廠商不願意這樣做,因為她只對連續寫入有明顯幫助
對於讀取或者4k i/o上的實際使用效能差異不大,可是寫同樣資料量的話抹除的次數至少多一倍
我是覺得顆粒品質好,廠商又願意保固,這種提高效能的作法也不是不能接受啦

sadsumo wrote:
其實小弟爬文後得知那...(恕刪)


的確

我發現這樣寫好像不太對XD

應該說OCZ設計當OCZ VERTEX 4短時間大量寫入達50%會啟動GC

所以造成寫入速度下降

因此需要閒置讓SSD執行GC

這樣就可以讓SSD內部資料整理

整理完成後速度就會回升

感謝各位大大的經驗分享,更了解OCZ VERTEX 4產品資訊,看來入手的時候到了!
謝謝版大的開箱文 雖然有段時間了 不過可提供數據參考 這樣在選購SSD又可多個選擇了
感謝板大分享與各位大大的分享提供數據參考 買SSD又五年保固又多了一種選擇了
其實這一顆SSD真的很不錯...

我剛剛才把他換下來...

要不是128的容量真的太小...不然應該還會用下去...

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