dddaiel wrote:遊戲在SSD裡面寫入...(恕刪) 其實小弟爬文後得知那應該不是保護機制,而是不得以的作法MLC顆粒是2bit cell,其中Low bit寫得快,High bit寫得慢可是同Cell卻分屬不同Page,一般設計會盡量在同次動作內交互存取這兩頁page也就是盡量同時填滿所屬Cell內的Low bit跟High bit因為假如一個Cell在Low bit有資料,卻要寫入High bit的時候你這時必須要讀取Low bit,抹除,寫入Low bit跟High bit除了速度會被拖很慢之外,又要多一次抹除的動作消耗顆粒的生命Vertex 4的作法就是全部都先用Low bitLow bit寫滿時,開始將兩頁Low bit Page合併成一頁Full bit Page這也就是為何你跑連續測試時,寫入前半可以超過400MB/s,後半卻只剩80MB/s因為在寫入後半時,同時要整合Page並且還要寫入資料,所以就變得非常慢可是GC平時在沒事時候也會自動做合併Page的工作例如你寫滿一半,擺一陣子,這時原本寫滿的Low Page就合併成一半的Full Page再跑測時,就會發覺連續寫入效能還是很高一般SSD廠商不願意這樣做,因為她只對連續寫入有明顯幫助對於讀取或者4k i/o上的實際使用效能差異不大,可是寫同樣資料量的話抹除的次數至少多一倍我是覺得顆粒品質好,廠商又願意保固,這種提高效能的作法也不是不能接受啦
sadsumo wrote:其實小弟爬文後得知那...(恕刪) 的確我發現這樣寫好像不太對XD應該說OCZ設計當OCZ VERTEX 4短時間大量寫入達50%會啟動GC所以造成寫入速度下降因此需要閒置讓SSD執行GC這樣就可以讓SSD內部資料整理整理完成後速度就會回升