Samsung V-nand 是屬於mlc 還是 tlc?
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3D NAND可以是MLC也可以是TLC..
intel 所述.
3D NAND,其實許多細節在去年的會議上已經說過了,採用32層堆疊,採用50nm到34nm之間的工藝,TLC與MLC其實都是同一塊晶片,客戶可以根據自己的需求選擇快閃記憶體是工作在MLC模式還是TLC模式
原文網址:https://kknews.cc/zh-tw/digital/l6e859.html
樓上大大分享的沒錯……3D MLC在舊製程之下可達到5000 P/E 真的很猛

Felixching007 wrote:
Samsung V...(恕刪)




管他mlc 還是 tlc,很強的~~
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