英特爾和美光宣布準備拆夥 將在完成第三代 3D NAND 研發之後，正式分道揚鑣

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英特爾（Intel）和美光（Micron）多年宣布準備拆夥 將在完成第三代 3D NAND 研發之後，正式分道揚鑣。

英特爾和美光 12 年前成立合資公司 IM Flash Technologies，發展 NAND。英特爾資助研發成本，
並可分享 NAND 銷售收益。不過兩家公司 NAND 策略迥異，
英特爾的 NAND 幾乎全用於企業市場的固態硬碟（SSD）。美光除了販售 SSD、也供應 NAND Flash 晶片。

目前兩家公司的 3D NAND 製程，進入第二代，可堆疊 64 層，正在研發第三代，預料可堆疊 96 層，
預計在 2018 年底、2019 年初問世。此一製程之後，英特爾和美光將各走各的路。

Anandtech 猜測，也許是 NAND 堆疊層數破百之後，需要調整 String Stacking 的堆疊方式，
兩家公司對此看法不同，因而分手。
另一個可能是，目前 3D NAND 的生產主流是電荷儲存式（Charge trap） ，三星電子等都採用此一方式，
英特爾／美光是唯一採用浮閘（floating gate）架構的業者。
也許是兩家公司中有一家想改採電荷儲存式架構，但是此舉等於坦承失敗，
代表從 2D NAND 轉換成 3D NAND 後，續用浮閘是錯誤決定，因而鬧翻。

值得注意的是，兩家公司仍會繼續共同研發 3D XPoint 記憶體，
此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術。

所以是因為 floating gate 跟電荷儲存式（Charge trap） 嗎?
還是其他原因 ?

NOR閘型快閃記憶體(NOR flash)：容量較低，存取速度較快，價格較高，又稱為「Code storage flash」，


NAND閘型快閃記憶體(NAND flash)：容量較高，存取速度較慢，價格較低，又稱為「Data storage flash」

電荷儲存式快閃記憶體(CTF：Charge Trap Flash)
傳統的快閃記憶體(Flash memory)是使用多晶矽來製作「浮動閘極(FG：Floating Gate)」，由於多晶矽儲存電荷的效果不佳，
後來廠商使用「氮化矽(SiN)」薄膜取代「多晶矽(Poly Silicon)」做為浮動閘極，
工作原理與快閃記憶體相同，
為了有別於傳統的快閃記憶體所以為它取了新名字稱為「電荷儲存式快閃記憶體(CTF：Charge Trap Flash)」


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