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dandoit wrote:
還是邏輯有問題,兩個...(恕刪)
其實原PO 說得並沒有錯
假設環境溫度25度C
而真正在跟手機內熱交換(傳導與對流)的直接媒介確是手機外殼
這手機外殼確無法一直維持25度C, CPU等元件發熱使外殼一直上升25..26...27...直到熱平衡
外殼高溫使內部CPU等元件的溫度相對高(因為25度的殼可以帶走的熱量 會比30度的殼可以帶走的熱量 多)
假設單4核與雙4核的散熱途徑(傳導與對流)設計完全相同, 並且以高頻>低頻 發熱瓦數,
以及:內部"核心發熱瓦數比例4核=2核 之2倍 這樣的"假設條件下" :
以最終"機殼溫度" 與 最終 "CPU等元件溫度來說" :
低頻4核(型號A) + 高頻4核(型號B) =8核全開 > 高頻4核(型號B) 全開 > 低頻4核(型號A) 全開!
簡單來說, 在相同的散熱面積(外殼)下, 100核(型號A)發熱 當然比1核(型號A)發熱多!!
最終"機殼溫度" 與 最終 "CPU等元件溫度" 當然較高阿!!
以上是以 "相對性" 來說
若以"絕對性" 來說, 只要原廠之建議"環境操作溫度" (例如30度C)下 若 8核全開 使用長時間後
經過最嚴苛條件的可靠度測試後 仍不會因為高溫造成 "CPU等元件" 的 熱當
那們, 就是合格的設計了...
而另一個可以進階思考的問題是
假設CPU晶粒材質,型號,體積,大小,內單核發熱瓦數,....等完全相同下
且內2核發熱簡化=2倍內單核發熱瓦數, 熱傳導對流係數完全相同下
傳導面都是1個面, 對流面5個面
1個4核晶粒是 1立方公分 正立方體, 1個8核 晶粒是 2立方公分 正立方體
那們, 1個4核溫度高? 還是1個8核溫度高? 還是2個4核(同型號)溫度高?
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跟製程條件沒有任何關係,原本的耗能與幾核與散熱之間原本就不只是如此單純,
就算3核與4核誰說一定4核熱?同條件嗎? 又不是在算加減法?CPU有TDP可換算
四核A15-2.2G : 雙四核A15-1.9G+A7-1.2G
只是原PO單純把核心開關當加減還減的好笑,我才覺的很冏,
重點還自己支持的核心關了就降溫沒廢熱,別人核心關了還在散熱會多很多廢熱,
請您在好好想一下散熱是這樣算嗎?就算是好了,不覺得只是偏見嗎?
還兩杯水跟一杯水勒! 不都同為單一晶片封裝就都一杯水!
那我們假設一下A15都同技術,2.2比1.9誰的廢熱多?
好吧不跑全速A15的1.2G跟A7的1.2G誰廢熱多?
但這前提是同技術同條件才能比,還是讓專業的來比TDP吧!
SO...我只看您發言的邏輯,就是不合理阿!!!!!!!
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fgj wrote:
後來想想，何者發熱高好像是你自己補的？
不是很想跟你玩辯論，手機回文麻煩，看你打字也很麻煩都自己補條件立場跟背景，只能說不同條件製程就有不同的結果，不是開了關了就會這樣，不然就不用A7用8核A15就好，而立足點在於關了一核的A15會降溫而關了隨便四核A7或A15會廢熱一堆比不上原生四核，那……雙四核關上高四核再多關低三核呢？回不回又一堆廢熱要等散掉，TDP你看不起，就單純看耗能跟發熱，不用揪結在那無聊的開開關關不可以嗎(你用實驗結論來反設實驗條件，這有點好笑，而且你沒看清楚樓主講的話高低核開關間會有8個廢熱，而原本四核只要關剩三核不會有廢熱還更低溫哦！照這邏輯別人關就有廢熱原生超強關了瞬間0溫度還幫忙降溫)
要戰就免了……
在多編輯一次，你跟樓主同一人嗎？不然一直幫樓主補足條件？？
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dandoit wrote:
打了落落長，有空在回你，
你先預設了高速四核是一樣的型號A,
那就先不用講，就玩你的加減法就好。
樓主講低速切高速四核，低速四核還在散熱，高速四核也在生成熱，原生四核關一核就開始降溫，
那關的那核不用散嗎？講的好像就比較低發熱量，低發熱量是自己原生四核比；不能跟雙四核比ok?
你怎知低四核全速跑不能比四核之一核還低耗能？拿水杯比更不倫不類
同一晶片就是同一杯水杯裝了不同東西
怎麼比？(恕刪)
這麼簡單的問題
有這麼難理解嗎?
打了落落長
因為要解釋給不懂的人理解
雖然有點花時間
不管 有沒有預設高速四核是一樣的型號A 或 B 或 C ....
會違背 "設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?"
的自然界 "物理"現象?
真的有這麼難懂嗎?
你一直執著在 原生四核關一核就開始降溫，那關的那核不用散嗎？
會違背 "設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?"
的自然界 "物理"現象?
真的有這麼難懂嗎?
低發熱量是自己原生四核比；不能跟雙四核比ok?
言下之意
是指"設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 前者發熱高?"
這不是+法, 但是是"+相關", 難不成你能設計出"-相關的" ?
你怎知低四核全速跑不能比四核之一核還低耗能？
請你設計出一個 四核全速跑 比四核之一核全速跑(同頻率) 還 低耗能 的東西出來
當然不是靠線寬或製程其他技術或散熱途徑與面積來解決, 因為那是其他的問題
那們, 你會是個頂尖科技大廠想要的人才!
下圖是 網路找 的 NOTE3 3G 主板圖, 左邊中間是CPU
下圖是 CPU大圖
但是沒找到 內部 低4核 + 高4核 如何放置
但是不管如何放, 整個晶粒 的散熱路徑 與晶粒面積 並不會因開幾核 就有所改變
也就是散熱條件是一樣的
也就是在低頻4核全速 切換到 高頻4核全速 的 "某段G時間內"
在這段G時間內, 整個熱容充高機殼溫度 的峰值 是 低4核 + 高4核 全速 的 "熱容量" 在熱交換達到平衡
因通電發熱是一瞬間的事情, 但是散熱卻是慢慢平衡
這樣的設計, 很可能使 機殼溫度 以及 回傳影響內部元件溫度提高 而造成熱當
也就是以設計者的觀點來說 低4核 + 高4核 全速必須要PASS 才是最妥當
這也是我第一篇回作者文就說明的:
若以"絕對性" 來說, 只要原廠之建議"環境操作溫度" (例如30度C)下 若 8核全開 使用長時間後
經過最嚴苛條件的可靠度測試後 仍不會因為高溫造成 "CPU等元件" 的 熱當
那們, 就是合格的設計了..
簡單來說
低4核 + 高4核 : 待機低4核, 使用切到高4核 的 "某段G時間內" 熱容是 低4核 + 高4核 > 高4核
然後慢慢達到STABLE~= 溫度Z
優點是 待機省電, 缺點是在這轉換其間的熱容有可能 充高"手機整體"溫度
單低(或高)4核 : 全速4核 熱容 > 全速3核 熱容
缺點是無雙4核節能, 但是 最高溫就是 高全速4核 溫度Z 了!!
後來想想，何者發熱高好像是你自己補的？
會違背 "設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?"
的自然界 "物理"現象?
多充實一下物理知識吧!
只能說不同條件製程就有不同的結果，不是開了關了就會這樣，不然就不用A7用8核A15就好，而立足點在於關了一核的A15會降溫而關了隨便四核A7或A15會廢熱一堆比不上原生四核
語無倫次,這 會違背 "設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?"
的自然界 "物理"現象?
TDP你看不起，就單純看耗能跟發熱
請條列清楚 哪段話 說 "TDP你看不起" ? 還有最重要的散熱要忽略?
不管是發熱還是TDP, "1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 前者發熱高??"
然後無視散熱?來推論?
你跟樓主同一人嗎？
不是..
不是很想跟你玩辯論 和 不然一直幫樓主補足條件？？
我只是單純不懂:1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?
另外熱傳原理也不是我提出的, 而是前人提出的
你若有真知灼見 也請具體說明 與推導
如果還是不懂
建議去看一些 熱傳學的書籍 摸清楚"穩態"與 "暫態" 熱傳
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dandoit wrote:
跳針跳很大，一直在補腦物理自然界熱現象，四核全速溫度問題自己去找資，現在沒空陪你跳針，其實你的回文不需要太認真看，環繞在你自己的條件世界！
耗能問題自己去想，還有叉太遠了而且沒意義的太多了，
難道我要叫你去多看看熱力學嗎？...(恕刪)
跳針跳很大
的確
你的第1個回文就看得到在跳針
作者是說 低4核+高4核 切換 與 單4核(低或高) 何者散熱(溫度)為優
請作答!
物理自然界熱現象不是我發明的
也不是我建構的世界
這是前人提出的知識
而你所說的世界應該是地球
你並無提出你的論點
與其說你不需要太認真看
不如說你看不懂會比較貼切
簡單問一句
"設計成 1個4核全速(型號A) 跟2個4核全速(型號A與型號B) 何者發熱高?"
耗能問題或是發熱問題 難不成是前者高?
還望指點如何設計!
四核全速溫度問題的資料又與 低4核 切 高4核 所形成的暫態 高熱容(低+高)有何矛盾?
另外
搞清楚什麼是熱力學?什麼是熱傳學?
看懂的人自然就懂了
