http://pad.mydrivers.com/1/395/395095.htmGalaxy S6的內建ROM快閃速度測試:把對手秒哭!以最新的eMMC 5.1规范来说,其理论带宽为600MB/s左右,但UFS 2.0有了很大提高,HS-G2版本可以达到725MB/s,而HS-G3峰值可以接近1.45GB/s。希望LG 採用最快的ROM記憶體 讀取要快。開啟APP讀取、文件、照片 不會LAG感。要逼追三星!但是UI過場動畫特效 應該要加強啊啊~~
pei621 wrote:http://pad...(恕刪) 高通 S810 過熱問題依然沒有解決,難怪S6 Edge使用自家晶片。MWC2015展上,用家測試hTC機皇M9時,發出機身過熱的警訊,今在BBS熱烈討論,網友認為高通不意外,顯然高通S810晶片過熱傳言為真。http://technews.tw/2015/03/04/snapdragon-810-htc-one-m9-overheat-warning-mwc/