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doggykoon wrote:
所以問題是出在三星...(恕刪)
晶圓代工原先是用閘級的寬度對製程命名
三星因為先推出14奈米,為了宣傳把記憶體的命名法弄進來(否則又叫20奈米就顯不出威風)
就是用短邊定製程,比如14*20 就叫14奈米
台積電如果沒跟著叫客戶產品宣傳上就輸一大截,所以要忽悠大家一起忽悠
其實三星跟台積電都是20奈米的金屬閘極+14/16 finfet的前段製程,業界叫這東西混搭製程(表示法 14/16 finfet 20BEOL)
晶圓代工現階段會用混搭製程是為了設備越來越貴,為了提高回收年限,像20/16奈米95%設備共用的
10/7奈米也是95%設備共用,所以年底10奈米跟20奈米一樣是過渡製程,效能增加有限,也不會有高性能工法
7奈米才是效能跟省電進步比較大的節點
至於INTEL雖然製程跟架構目前還是領先,但它在晶圓代工是沒競爭力的
外資估計成本高台積電 25-30%,很久很久前就說要做代工,做不起來退出,幾年前又說要做代工,還是找不到大客戶,毛起來就把台積電的客戶之一ALTRA買下來,這陣子又有新聞說它又想做代工了,其實之前技術領先幾條街時都做不起來,未來就更難了
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