te87182 wrote:
台灣華為官方Mate...(恕刪)
原本有，但現在不在了
所以你覺得呢
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Kay Huang wrote:
雖然華為處理方式令...(恕刪)
看很多人對手機存儲界面錯誤的觀念 大約跟大家說一下正確的數字
目前大家熟知的儲存顆粒 eMMC Flash or UFS Flash
通常速度取決於以下兩種 1.顆粒要好 2.設計接口PHY也要符合規範
以eMMC5.1來說 雖然理論值可以 達到600MB/s 但真正的場景應用不會如此
實際測試的讀取速度僅有250MB/s左右 如果是eMMC5.0更只有170~180MB/s
eMMC和UFS比起來 除了速度之外 還有一個致命的弱點就是eMMC是半雙工
UFS是全雙工;eMMC的半雙工模式導致其讀寫必須分開執行，在實際應用中的影響就是，
當我們將手機與PC連接，在拷貝照片的同時將無法訪問手機存儲空間內的其他文件夾
所以為甚UFS是未來的主流,全雙工是個重點!!!
至於為什麼華為在推出手機時 ,居然能有一張跑分圖關於Random Write~148 MB/s
我本身覺得那一定是精挑細選的顆粒,不然以我對旗艦機使用UFS的狀況,應該沒有一家在"2015~2016"
達到這水準
Sequential Read（順序讀取）。用來說明讀取單一檔案的速度。
Sequential Write（順序寫入）。用來描述單一檔案被儲存到 ROM 的速度。
Random Read（隨機讀取）。用來描述 ROM 同時讀取不同單元資料的速度。
Random Write（隨機寫入）。可以觀察 ROM 同時把資料儲存到不同單元的速度。
HTC10用的是eMMC 5.1 三星S7 edge 及LG G5 用的都是UFS2.1
可以看到eMMC的隨機寫入還比UFS其中一家來的高,但eMMC有因此開啟程式比UFS快嗎?
當然是沒有的
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JASON25678 wrote:
Random Read/Write 隨機讀寫的數值，才是判斷 UFS2.1 的關鍵
你這個論點完全錯誤，UFS2.1和UFS2.0都只是協定名稱而已。
跟電腦sata的概念類似，sata3的機械硬碟 跟 sata3的SSD硬碟 隨機讀寫相差百倍之譜
那你能不能說sata3的機械硬碟是假sata3?答案是否。他確實是相容sata3協定的 速度差異來自於
儲存體的體質。回到正題，先說一下UFS的版本是怎麼定義的，能夠滿足HS-G2(HighSpeed Gen2)
速度，命名為UFS2.0。能夠滿足HighSpeed Gen3的標準，命名為UFS2.1。
華為選用的顆粒到底選用詳情如何?我不知道也不便置喙
但如果如大陸拆機所示，顆粒代號為THGB開頭的話，這顆粒當初面市
的時候，並沒有UFS2.1這種協定標準，所以他的規格是標示2.0。
但他是可以支援HS-G3協定的(UFS2.1)。
random write拿來判斷料件種類，真是很大的謬誤
我的Mate9 是摩卡金台版 2月份，版本號172，可以看到隨機寫入數據取決於韌體，並不能當作標準
自己刷上版本號180
以上說明，如有錯，歡迎不吝指教。有些人發言與我磁場不合，我不想再看，也不想再吵。
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