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shuling0909 wrote:
人家只是因為製程原因...(恕刪)
個人認為想太多~~~
國外拆解已經大概證實麒麟9000S用中芯七奈米量產........七奈米如何來?對比台積電作法, 大概率都是四次曝光做出來的............而台積電用 DUV做N7 vs 中芯N7, 這已經達到 DUV極限了, 再一次雙重曝光做N5已經不實際了
華為/中芯或許可以改善製程來提高下一代麒麟大核的頻率, 甚至改成兩大核, 四大核, 八大核來讓跑分上去, 但是七奈米的能耗卻無法改善, 總不能讓一隻手機無限的加大電池容量來提高使用時間吧
极客湾的拆解已經可以看出......華為/中芯拉高頻率導致的發熱, 讓華為手機用上很大成本的散熱系統, 這跟高通888當年遇到的情況一樣
華為的5G.......只是想證明可以突破美國的封鎖傾國家之力做出5G給你看, 酸一酸美國, 實際上除非大陸自己設計出EUV or 取得ASML EUV, 否則很難再往下一代製程了
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