01newbie wrote:
既然有同步輻射FEL這種技術，為什麼不用？因為太貴太麻煩了。
以現在的物價，光是儲環環應該就要上百億台幣，
韓媒報導，ASML新一代高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備，用於2奈米、甚至更小尺寸製程，預計2024年開始交貨，一台要價約3億至3.5億歐元之間（約台幣96.6億至113億元），目前大咖客戶包括台積電、英特爾、三星都已下訂。
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嘴硬?華為連記憶體都要用海力士庫存品了，遙遙領先?[偷笑]
不用庫存用什麽？你以爲是台灣的蛋嗎？放到爛都不用？
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01newbie wrote:
既然有同步輻射FEL這種技術，為什麼不用？因為太貴太麻煩了。
以現在的物價，光是儲環環應該就要上百億台幣，
而同步輻射FEL的運作非常複雜，
出的光應該沒有小型雷射系統穩定。
如果不是中國被制裁到已經走投無路，
應該也不會想用這種方法產生的EUV光來做先進製程。
看來你不懂同步輻射德國人當初怎麼使用~
光罩太難做了
而且解析度要做到奈米級不容易~
要做到patterning
當然要圖案化光罩
光源那麼強
光罩上的absorber很厚
很厚的話間隔是奈米級
aspect ratio太高
製作很困難也很難達到精度
所以都是用來製作微米級或以上的圖案...
同步輻射的穿透力強
使用厚膜光阻
厚膜光阻的aspect ratio太高,也很難達到奈米級
搞半導體的都知道線寬與光阻高度的相關性
aspect ratio 太高patterning後的硬烤會有reflow解析度就變差
奈米製程解析度要高, 景深DOF越小膜厚就要更薄
薄到ion implantation擋不住就要改用hard mask
多重曝光底下多層spacer就是這樣來
光阻先用來蝕刻hard mask才能繼續...
High NA EUV光強度要提高,所以metal oxide等光阻新技術就在開發...
LIGA製程都要正面對抗這些問題...
所以微米級的比較容易克服
LIGA製程用來開發微模具,因為半導體製程微縮容易
要厚很難
一般而言
有上過微機電製程的碩博士生都知道
微模具的最大問題是厚度
厚膜光阻很難有厘米(mm)級
LIGA是用來開發微米級精度,厚度是mm級的微模具
不是用來開發奈米級的晶片...
清華的那些人
如果是純物的
不是半導體專業的人
沒有製程整合的經驗知道整個環節的環環相扣的細節...
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科普一下
甚麼5nm, 3nm的圖形
理論上應該會有一台CNC的電子束曝光機來製作光罩
問題是光罩製作機的機械精度很難有這種程度
(一般CNC加工機高精度JIG grinder的精度是微米級，次微米級
奈米級的精度大概都會用上壓電致動器
問題是加工範圍很小)
所以很無奈的要放大光罩以投影曝光的方式來曝光晶片
投影曝光的問題會有光學的繞射現象(物理上有名的雙狹縫繞射...)
所以有一堆複雜克服的方法
各家有各家的解決之道
不僅是ASML,連Intel/GG/三星都有自己的solution...
光罩放大有10:1, 5:1, 4:1
圖形放大10倍好做,但是整個光罩如果曝12吋晶圓的話光罩大的恐怖尺寸太大也做不出來
所以才開發出分段曝光
所以曝光機才會叫做stepper/Scanner
一般來說同尺寸的光罩10:1的throughput會最少
20年前我在美國時用的就是10:1
ASML的EUV光罩是4:1
在產量與光罩製作的難度上取得平衡...
所以同步輻射的光要應用...
導入微米級的是可行的
奈米級的就很麻煩...
半導體製程的光源問題從20年前就一直存在
差一點讓半導體製程走不下去
GG的林本堅提出浸潤式曝光
再配合多重曝光
讓193nm的光源撐到了7nm..
光源波長越小解析度越高大家都知道
但是配套就一直出問題
193nm後面是157nm波長
Nikon賭上了157nm結果失敗
(Nikon認為EUV不可行,寫寫論文可以...)
因為157nm波長落入silica的吸收光譜
所以玻璃就不能用
使用其他材質發現會溶於水
所以開發一直不順
193nm浸潤式曝光讓半導體業多撐了十幾年
讓EUV多了十幾年的研發時間接棒...
EUV是13.5nm波長,當然落入silica吸收光譜
所以光罩是反射式而不是穿透式
所以EUV與DUV是不同的設計理念
所有光路設計推倒重來
光強波長短要多重反射來聚焦
多重反射能量損耗大
所以要更強的光
要控制更不易
EUV與High NA EUV光路系統重量差了快10倍
1.5億美金以上的EUV
High NA EUV要賣4億美金???
我覺得量產機一定超過...
要商業化量產要把所有問題一一解決
二十年就這樣過去了
而且還是集合地球上的眾家高手
大家強強聯手的各自克服問題...
其實講那麼多
半導體業界才不管那麼多
就是兩個主要指標
EUV商業化驗收標準
250W強度與125wph (wafer per hour)
否則無法有量產的價值
也就是搞了20年的ASML才符合這兩個指標
ASML賣越來越貴
問題是只要wph能相對應的提高
125--> 150-->180....wph
在成本上GG還可以接受...
再來就是光阻
光阻都會有最低曝光劑量
最低劑量越低產能越高
20mJ/cm^2比40mJ/cm^2產能多一倍
這就是日本人厲害的地方...
光阻不僅品質要均一,還要想辦法提高產能...
半導體各個環節都是重點
從無到有到商業化搞一搞20年就過去了...
藍星人這麼的努力就只有這樣
中國人說自己搞有多厲害就等時間證明吧~
(著作權寫完就成立,請勿拷貝)
小粉紅的作文我就懶得看
過個幾年再來看我這個帖...
每天選擇什麼都會永遠的失去這一天
所以不需要在爛人與爛事上浪費一秒鐘~
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討論光刻機然後拿"蛋"打臉？這群粉紅真的低能到極點了
不是綠營一律打成粉紅的才是低能兒，共產黨在唬爛光刻機也算低能，結果民進黨就一個"小小的蛋"都搞不定，比起低能的共產黨，民進黨該算什麼? 而信仰這樣的民進黨的人又該算什麼?
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Sinfield wrote:就跟你說是要用SSMB free electron laser，
看來你不懂同步輻射德國人當初怎麼使用~
光罩太難做了
而且解析度要做到奈米級不容易~
你還在講幾十年前的技術？
出光的波長一樣，又是雷射，跟現在EUV光源差在那裡？
Sinfield wrote:你先說清楚，你的『光源那麼強』是強度強，還是能量強？
要做到patterning
當然要圖案化光罩
光源那麼強
光罩上的absorber很厚
很厚的話間隔是奈米級
aspect ratio太高
製作很困難也很難達到精度
所以都是用來製作微米級或以上的圖案...
強度強，減弱就好。能量強，出光的波長可以調，比現在EUV光源有彈性。
你不能再用幾十年前的LIGA來看現在人家提的方案，
因為根本就沒有要用LIGA的方式做。
Sinfield wrote:了解一下甚麼是free electron laser吧。
所以同步輻射的光要應用...
導入微米級的是可行的
奈米級的就很麻煩...
其實要做free electron laser，同步加速器不是必要的。
在中國清華的提案中，
同步加速器只是用來加速與儲存電子束，
沒有使用轉彎段產生的輻射。
真正產生輻射的是直線段。
有很多FEL都是只有一段linac加速電子進入磁鐵陣列，
跟同步加速器一點關係也沒有。
所以，你不要把FEL當作一般的同步輻射。
你只要這麼想，SSMB FEL是一個EUV光源，
強度與波長可以調成跟先進製程的EUV光源一樣，
只是非常巨大複雜，成本高很多。
SSMB EUV FEL現在只是個提案，要做出來沒那麼容易。
但是如果真的做出來，當作下一代的製程光源是有可能的，
畢竟用它將光波長縮短要比一般雷射容易得多。
Sinfield wrote:單狹縫繞射，雙狹縫干涉...
投影曝光的問題會有光學的繞射現象(物理上有名的雙狹縫繞射...)
本身沒涉獵,利用Google來的資料,跟他認真你就輸了
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gufan wrote:
Sinfield wrote:
民主國家歡迎來監督
只是對岸的監督,好像輪不到老百姓...
一個進口蛋的流向都要不到了，
還歡迎監督哩。
以「國際透明組織」的發布的「清廉印象指數/腐敗感知指數」Corruption Perceptions Index來說，
中國最近2022年是排在第65名，算是全部178名的中段，
比王權專制的沙烏地阿拉伯(54)差，
但是和強調自由民主人權法治才能入盟的歐盟裡的
羅馬尼亞(63)差不多，還比保加利亞(72)、匈牙利(77)要好，
更不用說比起以下這些民主國家：
歐盟候選國阿爾巴尼亞(101)、土耳其(101)
全世界最大的民主國家印度(85)
美國的前殖民地，照抄美式總統制三權分立的菲律賓(116)
歐美新寵烏克蘭(116)
照抄美式總統制三權分立的墨西哥(126)
仿照美國憲法和國旗設立首都也以美國總統來命名的賴比瑞亞(142)
美國扶植重建的伊拉克(157)
美國強迫蘇丹允其獨立 (並採行美式總統制三權分立) 的南蘇丹(178)
另一方面，
香港(12)從港英五億探長葛柏時代的大貪到還是港英政府成立廉署後逐漸清廉
新加坡(5)的李式管理體制
都和你想的民主有段差距
你要說民主什麼的監督什麼的，
不如問台式民主要如何不變成印度式民主、菲律賓式民主、墨西哥式民主
甚至搞到變成歡慶最新獨立國但也是最腐敗國的南蘇丹
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01newbie wrote:
你先說清楚，你的『光源那麼強』是強度強，還是能量強？
強度強，減弱就好。能量強，出光的波長可以調，比現在EUV光源有彈性。
你不能再用幾十年前的LIGA來看現在人家提的方案，
因為根本就沒有要用LIGA的方式做。
看來是理盲...
光子能量的與波長有關
強度與光子的數目有關
單一光子波長這麼短能量相當強
材料要擋住要很厚
然後間隔要奈米尺度...
單單的 X光都要厚重的鉛板了...
奈米間隔的鉛板...
同步輻射的波長可調???
再怎麼調也是超強!
好啦
公布答案~
甩開ASML！陸網瘋傳國產EUV光刻機工廠落地雄安 官方揭真相
官方出來打臉了~
https://www.chinatimes.com/realtimenews/20230919005280-260409?ctrack=pc_main_headl_p11&chdtv
中國電子工程設計院有限公司對此做出澄清，該影片中是北京高能同步輻射光源項目，坐落於北京懷柔雁棲湖畔，是中國第13個5年計劃的重大科技基礎設施。這是中國第一台高能量同步輻射光源，也是世界上亮度最高的第4代同步輻射光源之一，2019年就開始建設，將於2025年底投入使用。該項目由勘察設計大師、國投集團首席科學家婁宇帶隊，中國電子院多個技術科研和設計團隊協同合作。
報導說，HEPS的作用是通過加速器將電子束加速到6GeV（6兆電子伏特），然後注入周長1360米的儲存環，用接近光速的速度保持運轉。電子束在儲存環的不同位置通過彎轉磁鐵或者各種插入件時，就會沿著偏轉軌道切線的方向釋放出穩定、高能量、高亮度的光，也就是同步輻射光。
簡言之，HEPS是一個極精密且具有強大穿透力的的超高速巨型X光機。它產生的小光束，可以穿透物質、深入內部進行立體掃描，從分子、原子的尺度多維度地觀察微觀世界。HEPS是進行科學實驗的大型科學裝置，並不是網傳的光刻機工廠。
報導表示，雖然HEPS不是光刻廠，但關於光刻廠的資訊之所以能在自媒體平台迅速刷屏，歸根結柢，還是源於大陸民眾對解決「卡脖子」難題的期待。也因為如此，才會對這種目的只在博眼球、蹭流量的虛假訊息失去辨別能力。
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小粉紅在文革時期就是這樣了
藐(視)天
藐(視)地
還藐視一切物理定律...
錢學森還同意畝產萬斤是有可能的...
這棟樓官方就下了結論~
文革時期的小粉紅繼續藐天藐地
就隨人作文了...
每天選擇什麼都會永遠的失去這一天
所以不需要在爛人與爛事上浪費一秒鐘~
[笑到噴淚][笑到噴淚][笑到噴淚][笑到噴淚] 你真調皮
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