中國景氣差嗎?華為5G新手機,愛國青年紛紛搶買,售價是6999人民幣(新台幣3萬元)

super bandage wrote:
所以你現在是在根本認證台積電2nm實際是5nm?

既然可以在一起類比,台積電可以叫2nm,為何20A不可以視為同樣2nm?


這個您可能要去查一下半導體業界 對於 nm 的原始定義

同樣是 7nm, 因為採用的技術不同,
單位面積內塞入的單元 是 Intel > 台積電 > 三星
因此 Intel 10nm 的實際效能可能與 台積電的 7nm 相當

前幾年由於種種因素, 使得 Intel在技術的宣傳上一直被壓著打
Intel 轉為使用 Intel 7、Intel 4、20A、18A 這些商業名詞
某種程度其實是認輸了, 反而依循台積電的產品當標準做為自己產品世代的編號

所以您可以說 Intel 20A 的效能與 台積電的 2nm 相當
但是 您說 Intel 20A 是 2nm 就有問題了, 因為他實際上是5nm 而不是 2nm
過客4112 wrote:
20A 跟 18A ...(恕刪)


intel真的很扯耶,取這種讓人誤會的名字,
我還想intel什麼時候這麼厲害,要超過台積電做2奈米了。
super bandage wrote:
所以你現在是在根本認...(恕刪)


來打臉你了.

*同步輻射加速器是在蓋在"北京市的懷柔區". 2019年就動工了, 跟科技制裁一點關係都沒有.

*清華大學也沒有要在"雄安新區"蓋同步輻射加速器....

*中國EUV的貼文圖片, 全都是中國人自己造謠加工的, 全部都是假的.

*清華大學也沒有打算在懷柔這座加速器旁邊, 安裝任何EUV光刻機.
不吃菜菜小娃
五毛喜歡的曲博科技YouTuber 剛剛出影片打臉了
不吃菜菜小娃
影片連結 https://youtu.be/R5SrdgZU7gc?si=MUIknOukfjDP8k2- 抱歉我一直貼不上
過客4112 wrote:
20A 跟 18A ...(恕刪)


我還是認為intel 18A 會宣稱是1.8nm的技術節點.

台積電法說會, 總裁魏哲家都已經說intel要做1.8奈米.

如果18A只是5nm, 是要怎麼一舉超越台積電與三星?

5nm怎麼拚, 也不可能跑出相當於台積電1.8nm的效能, 這我倒是可以確定. 兩個製程的電晶體數量, 倍數多太多了.

====================

台積電法說會時總裁魏哲家說明 N2(2 奈米製程)時間表,預定 2025 年量產,時間點略晚於英特爾 Intel 18A 節點(1.8 奈米製程)。

外媒報導,英特爾先進製程加速,是希望市場相信英特爾有能力翻轉晶片製造商規則,憑著 18A 製程時程及性能領先,一舉超越台積電和三星。
我自己玩電腦技術數十年, 我不相信突然練成葵花寶典, 金鐘罩與如來神掌, 不必胡扯到太過份.

中芯說他做出N+2, 還能馬上調整生產流程, 改變設備布局, 這麼快幫華為量產產品, 而且華為願意巨額投資, 不惜血本, 無視良率不佳, 給他拚下去.... 我是不太信, 怎麼看, 這都不像是真實世界會做的事情.

我反而覺得是出現叛徒違規者, 有人偷偷用7奈米廠幫華為製造了7奈米晶片, 用中芯編造一個N+2故事當擋箭牌. 要不然就是可以生產7奈米的設備, 有設備商偷偷賣進中國了. 中國不敢講是誰偷賣的.
過客4112 wrote:
單位面積內塞入的單元 是 Intel > 台積電 > 三星...(恕刪)

唬爛製程是三星強項
明明落後別人1-2代
卻唬爛是最先進製程
然後只有高通當真
把驍龍變火龍
super bandage wrote:
既然可以在一起類比,台積電可以叫2nm,為何20A不可以視為同樣2nm?


各家晶片廠命名幾nm已經沒有固定標準了,
以往都是以閘級寬度來作代表,
不過閘級越薄就容易發生量子穿隧效應,造成漏電,變成0和1的區分錯誤,
所以後續有些甚麼鰭式排列的操作出現,
但也造成各家工藝不同,給自己的命名方式也不一樣,
所以幾nm就是個代號,如何等量對比還是得由第三方去切片比較。
watching-guy wrote:
我還是認為intel...(恕刪)


魏哲家 有說18A 是1.8nm ??

不要把記者自己加工的註記, 說成是 魏哲家說的
watching-guy wrote:
來打臉你了.

*同步輻射加速器是在蓋在"北京市的懷柔區". 2019年就動工了, 跟科技制裁一點關係都沒有.

*清華大學也沒有要在"雄安新區"蓋同步輻射加速器....

*中國EUV的貼文圖片, 全都是中國人自己造謠加工的, 全部都是假的.

*清華大學也沒有打算在懷柔這座加速器旁邊, 安裝任何EUV光刻機.

同步輻射加速器是基礎設備
各界需要EUV都能提申請
沒限定不能搭配光刻機

一年前中國相同的研究單位就提出
以同步輻射加速器達成高功率半導體光刻
論文發表在世界知名的"自然"Nature


A synchrotron-based kilowatt-level radiation source for EUV lithography
https://www.nature.com/articles/s41598-022-07323-z

靠Google看YT曲博影片當資料的省省吧
超級小任任 wrote:
以往都是以閘級寬度來作代表,...(恕刪)


初期廠家是按他們的立體工藝的效能對應的平面工藝的閘寬來命名
但也好像越來越跨大了
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