ASML : 中國能夠使用 DUV 設備生產 5奈米 及 3奈米晶片

blueozone0130 wrote:
結果你還在繼續演，真的好棒棒！
1.麻煩你證明一下，這次的9020是用晶片堆疊結構及其形成方法專利，如何？

2.等效7奈米？ 可是你的朋友們都在宣傳這次是等效5奈米欸！

3.不管你什麼堆疊啦，晶片面積變大，體積會不會變大？散熱會不會增加？ 這次又要附帶煎蛋功能嗎？ 你確定這種堆疊在熱量增加的情況下還能達到 1+1＞2的效果？

4.說的這堆疊技術很棒？ 其他公司可以直接拿到5432奈米的晶片，需要這種堆疊技術嗎？需要犧牲晶片體積嗎？ 需要犧牲能耗嗎？
你說的堆疊，不過就是華為不得已才玩的技術，對於其他公司根本就不需要，怎麼這點能被你拿來宣傳？ 我也是滿頭問號？？？

warrenwang111 wrote:
早期韓國日本的記憶體幾乎都是6吋八吋晶圓..製程大概是24到18奈米....製程比較好的是美光...現在因為手持式裝制崛起...會去縮奈米數不是因為本控制...主要是因為耗電溫度...溫度升高就耗電...桌機以前不怕耗電過熱加散熱片...手機不行..依熱電池就沒電...記憶體本身沒有啥邏輯製程...不像依般CPU.GPU動輒幾十億個電晶體...

warrenwang111 wrote:
我真覺得你邏輯性是有問題的...
1.華為設計用堆疊方式做出來的9000S晶片美國拆機已拆一年了都還搞不清楚...你現在問9020你問鬼??鬼知道??如果知道怎做的..老美早就去封殺了...還輪的道你問??
4..在美國的封鎖制裁之下..一年前華為就可以自行研究不用美國的任何資源能自行設計並生產等效7奈米...這是很厲害的發明..可以在這種封鎖之下還能自行研發量產...全世界也只有華為在美國這種封鎖下能存活下來...這表示中國已經可以自製等效7奈米的晶片而不需要用到美國的任何技術...美國今天可以封鎖華為..難說明天會不封鎖台積電...美國動用全世界的力量封鎖華為的原因何在???因為華為在5G領域超越美國成為世界第一...所以美國封鎖華為....完全違反商業原則!!這種封鎖加速中國晶片製造業擺脫美國的束縛朝自行發展...更加速中國晶片製造業的威脅...

blueozone0130 wrote:
你扯堆疊又扯新技術，不就是要表示這是華為強項？
所以我用你的邏輯問你，你幹嘛吐你自己的邏輯？