首台High-NA EUV 曝光機交貨英特爾明年試產新製程

首台High-NA EUV 曝光機交貨英特爾明年試產新製程

艾司摩爾（ASML）在社群媒體上貼出，第一台高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機台已經送貨到英特爾（Intel），代表英特爾18A機台已經正式到位，明年第1季將可望順利進入試產，四年五節點製程計畫將持續執行

Twinscan EXE:5200 0.55 NA

ASML Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D配備 0.33 孔徑 (NA) 光學鏡片，解析度為 13 奈米
EUV 僅僅曝光一次，就可以達到將近10 奈米的結構，雙重曝光即可做到5 奈米以下，

所以即使現有DUV 技術可支援至7 奈米、5 奈米，也只能落到良率不佳

目前 EUV NA =0.33 要做 5nm EUV 需多次曝光 . 新一代 0.55 NA 高數值孔徑極紫外光 , 都在搶 . TSMC 應該也會要 hi NA EUV .