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美光跳過 4F² DRAM 電路單元架構，稱密度優勢近乎神話有根本性問題
看來 美光選擇延伸現有的 6F² 架構，並將 Wafer Bonding 與 3D 堆疊列為路線圖的核心。美光科技與產品長 Scott DeBoer 在 2026 年技術網路研討會上公布了未來十年的多世代技術藍圖，指出經過 20 多年的研究，4F² 在微縮上存在根本性問題，且始終無法找出可行的微縮路徑。
美光的決策與核心理由
• 否定 4F² 密度優勢：美光總裁兼首席技術與產品負責人 Scott DeBoer 指出，4F² 的密度優勢「近乎神話」且存在根本性問題。美光已內部研究 4F² 超過 20 年，但始終找不到具備可量產性的微縮路徑。
• 關鍵在電容間距：DRAM 效能與成本的決定性因素是「電容間距」，而非單純的電晶體結構（4F² 讓電容更複雜、成本更高）。
• 製程複雜度過高：4F² 採用垂直通道電晶體（VCAT），對原子層沉積（ALD）與選擇性磊晶等製程要求高，會大幅增加製造成本，抵銷晶片面積縮小的好處
• 長鑫存儲（CXMT）：中國長鑫先前宣布計畫於 2026 年底推出採用 4F² 架構的新一代 DDR5 RDIMM，聲稱可縮小 30% 晶片面積。
• 三星電子（Samsung）：傳出正評估在未來的 0a 奈米節點導入 4F² 架構，計畫先於 2027 年完成 1d 奈米 6F² 量產，再於 2028 年底前推進 4F²。
業界與美光的質疑：能成功量產嗎？
雖然長鑫計畫在 2026 年底前推出首款 4F² DDR5 RDIMM 產品，但這也是美光決定跳過 4F² 的原因。業界正密切觀察長鑫能否克服以下考驗：
1. 良率與成本考量：垂直電晶體的矽通道非常難做，目前仍缺乏大規模量產的良率驗證。
2. 電容間距極限：美光認為 4F² 雖然縮小了單元面積，但電容器之間的間距被嚴重壓縮，後續將失去繼續微縮的能力。
美光選擇延伸現有的 6F² 架構 , 再來直接跳 3D ..
