買二手iPhone6 / Plus 64GB，千萬不要買到TLC版本

先說好，不理會TLC/MLC差別的人，可以不看此篇文章
反正買到什麼版本都不會覺得怎樣


TLC是比較新的產品，穩定性絕對不如MLC，不穩就會導致當機等事項
(SSD有記憶耗損，壽命短的TLC，每當區塊損壞就標記起來，下次就不能用了)


使用超過一年就知道為什麼可使用容量越來越少了

TLC芯片U盤真很短命？想長命些就這樣用


"對於每天經常重復擦寫數據的人來說，“TLC”U盤還真的挺短命的，假設1天2次，不到一年就報廢了……寫到這裡，突然間知道為什麼有的U盤只有1年保修時間了。"

"“TLC U盤”只能寫500次並非意味著U盤拔插500次就完蛋了！簡單舉例，假設一個8G U盤，往裡面寫入8G，就算一次；清空寫入3G，算第二次，在清空寫入5G，仍然算第二次；再寫入1G，那現在就開始算第三次。

換個角度來理解，假設8G U盤一生只能擦寫500次，那麼這個U盤一生理論上可以重復裝載4000G 文件。而MLC芯片的U盤一生最少都能裝載2.4萬G到8萬G。這就是為什麼說TLC芯片的U盤相對短命的原因。"

"TLC芯片的U盤其實有一點問題其實是大家都忽視的，那就是如果往U盤芯片的同一區域重復刪除寫入數據（U盤沒有寫入平衡算法），一旦次數達到300-500次，那麼這個U盤離死掉也差不多（或許還能正常讀取，但可能就無法繼續寫入數據"

"如果非要說有方法延長TLC芯片U盤的壽命，那只有一個，那就是寫入數據之後就不要刪，直到滿了之後再全部刪除或者直接格式化（相當於一次完整的擦寫）。這樣可以避免在某一位置重復寫入數據的可能性。"



TLC SSD本身讀寫速度就不如MLC/SLC
當然目前有高速讀寫版本，但肯定不是iPhone6用的那塊~
目前測試速度根本很慢
(今年五月已經有產品，讀取速度：540MB/Sec，寫入速度：520MB/Sec的TLC SSD)

假設64GB用滿了，不穩或OTA後就想說還原備份，抹除還原一次64GB滿資料就算抹寫一次
下次重製就是抹寫第二次~再一次抹寫就算第三次
容量常常滿檔的人，盡量不要常做出備份還原的蠢事在TLC SSD上


換句話說，不要用滿記憶體，不要常常還原iPhone以為會更穩定，不然掛點肯定是TLC的命運
500次的壽命，請珍惜使用

也就是說，如果TLC 64GB已經用到快滿的人，請換TLC 128GB的iphone6..
這樣子至少還有其他64GB可以慢慢去分配抹寫，記憶損耗也比較看不出來~
就算損耗了，也還有一堆容量可以用~


現在知道為什麼16GB的iPhone6/PLUS是採用MLC了吧
不用MLC我看不到一段時間夭折的就一大堆了~~ 16GB不用滿的很少人吧

以為APPLE佛心給16GB甜頭嗎? 通通給了MLC
少來，根本就是怕抹寫超過容易損壞

128GB大方的通通給了TLC
就是賭使用者根本用不滿128GB

64GB常常用滿又買到TLC的人，請節哀
用到滿，又因為APP會常更新版本，控制晶片又沒搞好
同一區塊常常抹寫，記憶損耗後，接著就慢慢壞

過了一段時間以後!!

買二手iPhone6 64GB的人，最好確認是MLC
不然買到TLC也太慘烈了!!
萬一買到的買家就是一個記憶體常裝滿又常常重置還原的人

那這台iPhone6 64GB的TLC SSD的壽命離掛點也不遠了

當然現在買是一定沒問題，剛上市，但過了一段時間後，最好購買前還是先確認一下!!

P.S.我iPhone5S就是64GB常常用滿又刪又灌又一直更新APP的人.這次才換128GB


一般隨身碟不會像手機如此讀取頻繁
耗損平均技術我早在先前就有說過了.且提過不止一次
也因為此技術的原因讓壽命提升
讓TLC不會在保固內損壞，沒那麼容易

這技術早就在SSD上行之有年，MLC技術早就成熟
控制晶片再怎麼爛，也爛不過剛發展的TLC控制晶片
蘋果真的能有效掌控TLC特性讓控制晶片發揮到最大功用嗎 ?
很遺憾的是，可能還在慢慢修正中

但再怎麼提升，也提升不到MLC的壽命值
簡單而言，MLC就算用爛控制晶片，技術早就成熟
基本壽命就比TLC+好晶片更長命

而每寫一次，TLC無論控制多優良，還是會逐步損壞
控制晶片到後來也只好標記此區塊
畢竟先天性就比較容易壞

[分享] 【TLC=TCL=太差了】廉價TLC為何不耐用及TLC原理

這裡有更詳盡的工作原理
引用重要內容如下

"問題在於，閃存單元每次編程或擦除的電子穿越過程都會導致矽氧化物的損耗。這東西本來就只有區區10納米的厚度，每進行一次電子穿越就會變薄一些。也正因為如此，隨著半導體工藝的進步，矽氧化物越來越薄，耐用性自然就更差了。
矽氧化物損耗得差不多之後，原子鍵就會斷裂，部分電子可能會在穿越過程中被困在氧化物中，導致負電荷積累，使得閃存單元再次編程的時候抵消控制柵極的部分電壓。擦寫時間也會因此延長，因為在達到何時的電壓之前需要更長時間、更高的加壓。"

"【TLC壽命真的不夠用麼？】
完美的磨損均衡和寫入放大係數應該是1x， 250GB固態硬盤的終生寫入量就是256TB，編程/擦寫次數1000，只可惜完美是不存在的。得出確切的使用壽命是很難的，畢竟每個用戶的情況都不一樣，不過一般人平均每天寫入量不會超過10GB，那麼一年就是3.65TB，只相當於256TB寫入總量的1.4 ％。
當然了，NAND閃存寫入量實際要大於主控寫入量(這就是係數不同)，但即便寫入放大係數為10x，每年也就36.5TB，編程/擦寫次數大約143，算下來依然能用七年，即便是120GB型號也能用三年半。雖然這之後不如同類型MLC閃存硬盤的三分之一，但考慮到電子產品的更新換代頻率，一般來說也完全足夠用了，只不過壽命後期的性能會差一些。
三星也很明智地沒有提供60GB NAND型號，畢竟其理論使用壽命不會超過兩年，三星存儲產品質保時間可是三年呢。"

"記住，主控制器是無法改變編程和擦寫電壓的(部分可以後文再說)。如果原本設計的電壓值工作異常，主控就會嘗試不同的電壓，這自然需要時間，也會給矽氧化物帶來更多壓力。
簡單地說，SLC的電壓狀態最少，可以容忍電壓的更大變化，MLC的四種狀態也基本可以接受，TLC的八種就太多了，電壓可變餘地很小。在不清楚確切的所需電壓之時，就不得不將同樣的電壓分成八份(SLC、MLC分別只要兩份和四份)。在使用過程中，編程和擦寫一個TLC閃存單元所需要的時間也越來越長，最終達到嚴重影響性能、無法接受的地步，閃存區塊也就廢了。
另外，隨著閃存的磨損，所需要的ECC錯誤校驗也越來越多，因為錯誤的發生機率更高了。這對於TLC又是一個麻煩，因為需要糾正的數據比特多達三個。雖然如今的ECC引擎都很強大了，但到使用後期，與其費勁糾正錯誤，還不如直接廢了整個區塊。"


為什麼當初SLC被MLC取代時，反對聲音並沒現在用TLC取代那麼大
光是技術層面就可以發現，TLC無論怎麼優化，原設計就是比較容易壞這是事實

控制晶片技術再優良，還是改變不了底層就是爛芭樂的問題

為什麼64GB的iPhone還有MCL版本
因為經由上述文章換算，其64GB TCL理論壽命基本上就是兩年
(請記住，這是隨時隨地讀寫的手機，而不是久久寫入一次的隨身碟)

64GB蘋果敢全面採用TCL嗎 ? 很明顯就是不敢..事實勝於雄辯! 不敢就是不敢
不像128GB TCL就是全面採用，因為理論壽命64GB相對低上很多

既然64GB還有MLC可以買
我不懂，當各位詳細看完本文引用連結文章後，還會覺得64GB TCL是好貨沒關係

但如果蘋果開放隨意更換
那我想很多人願意拿64GB TCL去換64GB MCL...
包括支持TCL的這些人 (身體往往是誠實的)