真相大揭秘!HTC One M9竟然是這樣降溫的

這網站算是國外權威的硬體專業評測網站之一


日前,HTC One M9在最終上市前突然緊急臨時跳票,隨後Tweakers展示了一張發熱測試圖片,引起軒瀾大波,最高發熱溫度竟然達到了55.4℃,隨後HTC方面表示將通過後續的OTA軟件更新解決發熱問題。
真相大揭秘!HTC One M9竟然是這樣降溫的
對於本次系統更新,HTC方面的具體描述為:升級攝像頭、UI界面和過熱控制。想必大家都十分好奇,為什麼通過軟件上的更新就可以解決手機硬件上的發熱問題?「退燒」是否以大幅犧牲驍龍810的性能換來的?今日,外媒AnandTech對軟件更新後的HTC One M9進行了一輪最新測試,揭開了其中的秘密。
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▲更新之前的GFXBench 3.0跑分發熱測試
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▲軟件升級後的GFXBench 3.0跑分發熱測試

一、HTC One M9與高通驍龍810原型機在CPU部分存在明顯的性能差異

權威評測網站AnandTech首先對HTC One M9進行了一次瀏覽器基礎性能測試,從測試結果來看,同樣搭載驍龍810的HTC One M9要比高通官方提供的原型機(本身體積很大,有足夠的空間讓驍龍810散熱)性能低了不少,這究竟是為什呢?在使用CPUBurn對其進行單線程負載測試時,發現驍龍810本應跑到1955MHz的A57核心僅僅徘徊在1500MHz - 1600MHz之間。

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二、依舊存在「作弊」的高性能模式
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在HTC One M9上,依舊存在跑分「作弊」模式,也就是說HTC通過某種程度的跑分軟件檢測機制,在檢測到跑分軟件運行時,便開啟「高性能模式」,這時候A57的主頻就會一下竄升到最高的1955MHz,以保證跑分數值最高。

但這個檢測機制存在明顯的「白名單」,它只對特定的跑分軟件起作用。一旦更換其他軟件後,「高性能模式」也就失效了。在對驍龍810進行持續的單線程烤機測試時,A57在上升到1.7GHz後,隨即便會迅速回落到1GHz到1.2GHz之間。如果能夠加速至1.9GHz的話,真不知道驍龍810到底能夠堅持多長時間。

三、HTC One M9 CPU性能實際測試


考慮到上面的過熱保護限制,HTC One M9的WebXPRT性能十分令人擔憂,畢竟這涉及到突發情況下的手機運行狀況。在更接近真實使用環境的PCMark測試中(主要針對CPU進行測試,不包括GPU部分),M9上的這顆高通驍龍810的實際表現甚至還落後於三星的Exynos 5433,相比高通原型機上的驍龍810降幅在15%-20%左右。
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在更加全面綜合的Basemark OS Ⅱ 2.0測試中,HTC One M9的表現終於正常了,但是其中的提升主要來自於GPU圖形和存儲性能的增加。

四、GPU圖形性能測試和續航測試

在隨後的GPU測試環節,HTC One M9表現正常,雖然頻率同為600MHz,但得益於架構和驅動的改進,得分與高通的原型機相比差別不大,1080P的分辨率也起到了很大的作用,畢竟這比高通原型機的2K分辨率負載明顯更低。
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另外,外媒AnandTech還發現了另一個重大問題,那就是HTC One M9的續航時間掉的十分厲害,例如WiFi上網時M9僅僅堅持了8小時52分,遠不如M8的10小時48分鐘,要知道M9的電量還增加了9%,但續航卻掉了18%。

總結:由AnandTech帶來的一系列測試來看,驍龍810存在過熱問題已經是不爭的事實,要想在如今日益輕薄的智能手機上搭載該SoC,降頻以及大幅提高過熱保護的閾值是其通行做法,同樣的情況也出現在了年初發佈的LG G Flex 2身上。高通方面近日也在通過公佈驍龍815、620等全新芯片發熱情況的方式,來緩解大家對於驍龍810過熱門事件的擔憂。看來,要想真正解決發熱問題,只有等待之後的下一代芯片了。
真相大揭秘!HTC One M9竟然是這樣降溫的

資料來源
http://www.anandtech.com/show/9102/the-htc-one-m9-review-part-1/2
abc003 wrote:
日前,HTC One...(恕刪)


謝謝大大分享,很多人分享這個都被刪文了
以下是S6的 Exynos 7420 GPU電壓表
,CPU非線性原件,電壓和功耗是平方成正比關係


和上一代20nm比起來電壓降低非常多


772MHz 850mV
700MHz 812.5mV
600MHz 768.75mV
544MHz 731.25mV
420MHz 693.75mV
350MHz 687.5mV
266MHz 681.25mV

電壓每升高一點 功耗就會大增,反之亦然電壓如果降低一點功耗會大減

以下是從S6系統韌體檔案挖出來的資料


以下這是Note4 Exynos 5433的GPU電壓表




同樣微持在772MHz的時脈 S6的7420需要0.85V電壓 NOTE4的5433需要1.08電壓

降低幅度0.85V/1.08V= -22% 1.22^2平方過後功耗相差40%

這就是為什麼FinFET 14nm 相比20nm功耗能降低40%的原因

當然每一塊晶片IC的體質不同不可能每隻手機的設定都完全一樣

每一隻手機根據你配到的晶片體質的不同(看你運氣) 會有不同的韌體對映不同的電壓

,這就是為什麼同一個型號的手機有些人會發熱有些人不會的原因,除非你肯把系統任體的檔案挖出來看才知道你你拿到什麼體質的晶片

體質好的晶片可以降壓維持同樣的時脈不變,而且還降低電壓
https://www.semiwiki.com/forum/attachments/content/attachments/9835d1390352099-tsmc-intel-density-comparison-jpg

假設都是S801同樣型號的手機假設都是M8 還是有可能拿到不同體質的晶片 而以前看過有些高手Root後會去降電壓改韌體測試手機晶片的體質

這樣可以達到省電的效果

比如說同樣是G2 手機以前S800就分成5個等級的晶片體質 有些人運氣不好就拿到體質差的晶片

然後又跑去退貨換一隻後來就拿到良率比較高的智成成熟的S800的 電壓低的版本


abc003 wrote:
這網站算是國外權威...(恕刪)


one x經驗還不夠嗎??
不過cpu效能過剩..
應該沒差......

相機相素突然拉這樣高..
拍個幾張可能要小心熱情..
快拍的速度感體驗可能會降低

不過相素高也有好處..
後製特效的細膩度可能會增高...

沒試過..純亂猜的...

abc003 wrote:
這網站算是國外權威...(恕刪)

好文章,詳細介紹,清楚解說,值得推薦!
M9 在冬天 可以當暖暖蛋了 !
五十幾 度 跟暖暖蛋溫度差不多了
音浪太強~ 不晃會被撞到地上 !
abc003 wrote:
這網站算是國外權威...(恕刪)


不意外,大概也猜到是降頻
自己本身寫了10年的BIOS,對韌體工程師來講
能做的大概只有降頻降電壓這兩件事來降低溫度
至於跑分作弊,這也很正常
以前在某主機板廠上班還被問到我們BIOS RD
有沒有辦法做到偵測到在使用者執行3D mark之類的軟體時
偷偷超頻以提高分數,結果當然是不可能做得到啦!
(在OS下BIOS根本沒辦法知道user在跑甚麼軟體)
這些爛招大概所有廠商都想過了吧~~~
老是覺得自己喜愛的品牌被抹黑與打壓,是一種被害妄想症的徵兆,請儘速就醫!
作弊本來就該鞭

不然還要打馬賽克嗎
goldintex wrote:
整篇看下來 又一直...(恕刪)


race6061 wrote:
不意外,大概也猜到...(恕刪)


已經是成品的IC也只能是這樣吧
降頻減壓降低熱量
單純用軟體不可能達到讓設計本身正常運作就會發出高溫的CPU降溫

硬要扯頂多說工程師超會寫讓表現差異不大
但降頻的事實是無法改變的

我猜接下來會有降頻又怎麼樣的說法出現

race6061 wrote:
不意外,大概也猜到是降頻
自己本身寫了10年的BIOS,對韌體工程師來講


我也覺得奇怪,HTC工程師怎這麼厲害,原來是利用降頻技術
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