NQQegg wrote:
台積電太狂！地表最...(恕刪)
我加碼臺積電！ 請問大大是否認為三星有點兒虛張聲勢？ 吹噓自己來引起客戶的信心？
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NQQegg wrote:
根據EE Times...(恕刪)
講兩個故事好了
中研院的院士
一般都是有名的教授得獎
但是2014年頒給了台積電的林本堅
因為他改寫了半導體的歷史
懂半導體製程的人都知道
要微縮一般要用較短坡長的光源(這有公式)
但是波長到了193nm之後
下一代要用157nm
開發卻難產
因為落入了silica的吸收光譜中
也就是玻璃會吸157nm的光
換其他種材質很麻煩
2002年全球半導體製程技術一路從0.13微米、90奈米到65奈米製程時，開始出現撞牆期，當時半導體業界都把157奈米乾式曝光機當成是理所當然的下世代曝光技術，微影設備大廠也投入超過7億美元在157奈米曝光機技術上。但幾年下來，鏡片所需的高品質材料和光阻的透明度一直無法突破，無法在晶片刻出更精密的電路，但又提不出解決辦法來，157奈米波長的微影技術似乎已經走到山窮水盡，近10億美元的研發費用就這樣蒸發。
ASML的157nm的曝光機在台北的說明會當時我還有去聽,真是白聽了...
2002年，他提出與其在技術極限的157奈米波長繼續鑽下去，倒不如回頭善用193奈米波長的光，用水把有效的波長縮成134奈米，比157奈米更短,開啟了浸潤式曝光的世代,然後一直用到了7nm製程
荷蘭商ASML半導體設備公司放棄原本的157奈米微影曝光機研發，與台積電共同開發的193奈米浸潤式微影機台問世，包括IBM及比利時微電子研究中心在內的十家已經訂購157奈米乾式機台的業者，決定全部退單，跟進採購193奈米浸潤式微影機台。難能可貴的是，台積電雖然在193奈米浸潤式微影曝光機成功引領新技術，但並未獨占此專利，林本堅表示：「專利最好是能達到合作功效，而非拿來抵制！」
不然Intel與三星就等著死吧...
林本堅拿到了中研院的院士...
誰說TSMC一直不如Intel的???
現在193nm要製作7nm製程要用到四重曝光真的很麻煩
真的不得不要用更短的波長
EUV是13.6nm
前面說過從157nm之後會落入silica的吸收光譜中
所以EUV機台沒有透鏡
全部用反射鏡
也就是整個光路都是靠反射,沒在用折射來聚焦...
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第二個故事
兩年頒發一次的總統科學獎,過去得獎者都是中研院院士...
2017 年 11 月 21 日上午，台積電董事長張忠謀出現在總統府。他很難得坐在台下當配角，看著部屬、研發副總余振華從總統蔡英文手中領獎...
余振華得獎，靠的是他潛心研發兩個先進封裝技術──InFO（整合扇出型封裝）跟 CoWoS，並指著一旁記者手中的 iPhone 說，「這個就有 InFO，從 iPhone 7 就開始了，現在繼續在用，iPhone 8、iPhone X，以後別的手機也會開始用這個技術。
因為摩爾定律已經開始慢下來，從整個電子系統面來看，在電路板和封裝上，還有很大的改進空間
這就是首度用在 iPhone 7 與 7Plus 的 InFO 封裝技術,該技術是台積獨拿蘋果訂單的主要關鍵
只要三星沒本事量產類似的技術
Apple訂單想都不要想...
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NQQegg wrote:
根據EE Times...(恕刪)
高通新晶片 花落台積7奈米
https://www.chinatimes.com/newspapers/20181029000298-260202
高通最新旗艦機晶片概況
2018年10月29日 04:10 工商時報 蘇嘉維、涂志豪／台北報導
手機晶片龍頭高通（Qualcomm）新款旗艦手機晶片已完成設計定案（tape-out），確定將採用台積電7奈米製程，供應鏈傳出，高通新款手機晶片已經在第四季量產投片，最大的特色是整合類神網路運算單元（NPU）及支援5G，可大幅提升人工智慧邊緣運算效能，預期包括三星、華為、OPPO、Vivo等非蘋陣營手機大廠均將採用，最快明年第一季終端手機可望上市。
■新一代的旗艦手機晶片
高通目前Snapdragon 8系列的手機晶片主要採用三星晶圓代工（Samsung Foundry）10奈米製程投片，雖然三星已宣布支援極紫外光（EUV）微影技術的7奈米製程開始量產，但台積電7奈米已量產進入第三個季度。
也因此，隨著蘋果及華為的自製手機晶片已導入台積電7奈米製程量產，高通基於上市時間的考量，新一代旗艦手機晶片亦採用台積電7奈米投片。
業界人士指出，高通最新款旗艦手機晶片將於第四季在台積電7奈米製程量產投片，同時將可望於明年第一季搭載終端裝置在市面上問世，並將會是高通首款支援5G數據機晶片的行動平台。目前正式名稱在市場上眾說紛紜，可能將會延用上一代命名方式，取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150。
高通本次採用台積電7奈米製程投片，晶片運算效能將可望相較前一代提升不少，功耗亦可明顯降低，而最大的特色在於，高通首度將支援人工智慧運算的NPU處理單元整合進入手機晶片當中，並同支援5G數據機，使人工智慧邊緣運算速度明顯增加。
■非蘋陣營高階機種採用
事實上，高通積極推動5G在明年商用化，由於初期各項產業鏈在5G投資成本依舊高昂，因此高通也看準這點，僅會在明年初期將5G晶片導入旗艦手機平台，搶攻三星、小米、OPPO、Vivo等安卓高階機種訂單，預料明年下半年後才會把5G最新規格逐步下放到中低階機種，屆時將會與聯發科面對面戰爭。
此外，高通推出的快充規格Quick Charge目前最新版為QC 4+，但隨著新款手機晶片推出，將可望推出新規格。供應鏈指出，高通預計將於明年推出QC 5最新快充規格，將可望將最高輸出功率從原先的27W提升至32W，並在充電設計上從2條電路該改為3條電路輸出，讓充電效率提升，同時不讓溫度明顯增加。
(工商時報)
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NQQegg wrote:
高通新晶片 花落台...(恕刪)
美光修理瑞晶總經理陳正坤給華亞科的高啟全, 劉大維與力晶的黃崇仁看.... 這批叛徒如果膽敢繼續幫忙中國建立DRAM與Nand產業. 將可能會被美光打爆.
而且這也可以成為台積電的借鏡, 如果台積電控告中芯偷竊高階製程技術, 最後可以伸張正義的還是要靠美國, 中國只怕美國.
紫光的高啟全弄NAND, 睿力的劉大維弄行動式記憶體, 晶合的黃崇仁弄利基型記憶體, 這三個人恐怕都要皮扒得很緊, 只要被抓到, 美國商務部一定會下令禁售.
不過, 現在聯電被告的問題出現在馬英九任內, 因為國共雙方擔心民進黨上台後會阻撓, 2016年4月馬英九即將卸任之前, 經濟部投審會火速通過聯電和福建省晉華集成電路合作共同開發32奈米DRAM製程, 看來馬前政府真是連卸任之前都繼續做傻事.
現在, 福建晉華的53億美元投資案, 應該是泡湯沒有了. 中國一時之間也找不出能做出標準型記憶體的公司了. 未來要做也是充滿困境.
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vspebrian wrote:
美光修理瑞晶總經理...(恕刪)
美光不僅控告聯電,也在台灣擴大招募.台灣的電子產業環節健全,人家才會來台發展....
10月26日，美光科技在台中后里區成立封測廠，打算擴大招募1000人，開出薪資比台積電高出2成的優渥條件，轟動科技界，連經濟部次長龔明鑫、美國在台協會（AIT）處長酈英傑及尋求連任的台中市長林佳龍等人都前來參加開幕儀式，嘉賓雲集，顯得相當風光。
至於聯電
科技商戰升溫 美光祭經濟間諜罪追訴聯電
https://tw.news.yahoo.com/%E5%85%A8%E6%96%87-%E7%A7%91%E6%8A%80%E5%95%86%E6%88%B0%E5%8D%87%E6%BA%AB-%E7%BE%8E%E5%85%89%E7%A5%AD%E7%B6%93%E6%BF%9F%E9%96%93%E8%AB%9C%E7%BD%AA%E8%BF%BD%E8%A8%B4%E8%81%AF%E9%9B%BB-235827480.html
10月19日深夜，福建晉華公司總經理陳正坤才剛降落桃園機場，正要踏進國門時，法務部官員受美國司法部之託，將美國聯邦法院傳票交給陳正坤，由於陳曾是聯電資深副總，此舉等同宣布美光對聯電全面發動司法大戰，已從國內的一般刑案訴訟升級到美國聯邦經濟間諜罪的刑事層級，台美兩地追殺聯電。
該人士認為，如果美國聯邦檢察官立案調查，依照程序，將會通知聯電美國律師，將相關涉案人等以違反美國經濟間諜法第1831、1832條，即「明知其侵害行為將裨益外國政府、外國機構或外國代理人」而竊取美國公司的營業秘密罪展開刑事調查，如此以來，聯電及DRAM研發團隊形同身陷司法泥淖，勢必影響該公司的DRAM自主研發計畫。
令人震驚的是，除了福建晉華公司，還包括聯電及美光的離職員工跳槽到聯電或福建晉華公司等主管都將被列為刑事共同被告，如果聯電成為聯邦法院的的刑事被告，將創下國內科技大廠首度被台灣地檢署營業秘密罪起訴、美國司法部以涉嫌違反美國經濟間諜法偵辦的刑事案件，引起科技界譁然。
根據美國《經濟間諜法》規定，被告一旦確定觸法，最重可判15年以下有期徒刑，公司也要連帶處以1千萬美元以下罰金，如果被告因此獲利，還可加重處以3倍罰金。
美光大動作加碼在美提告恐暗藏玄機。本刊調查，幾個星期前，美光在美國舊金山舉辦「2018Micron Insight」大會，該公司總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra指出，對聯電官司訴訟極具信心，不但相信會打贏官司，尤其是已將訴訟從員工個人，提升到公司侵權的層級，甚至明確提及其中的關鍵，在於取得台灣方面提供強而有力的證據。
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