之前想升級記憶體因受限於主機板晶片組最高只能到支援到DDR2-800而目前看市面上DDR2-8005-5-5-18和4-4-4-12較低時序這兩種規格好奇問同頻率記憶體不超頻情況下低時序的效能會比較快比較好比較穩嗎跟一般標準規格有多大差別
是怎樣比較好呢能說明否另外我看有些牌子的低時序版記憶體設定電壓都在2.0V-2.1V比標準1.8V-1.9V還高用高電壓換取低時序這樣使用長久電費會比較高或出現不穩否蛙鳴之地 wrote:5-5-5-18...(恕刪) 現在我使用的版本是海盜船DDR2 800 CL5-5-5-12 1.8V 4GB雙通道板
加電壓能強化訊號強度。使其更穩定的在更少的時間週期之內工作。相對應帶來的缺點就是產生的廢熱跟使用壽命的耗損。我所為的老傢伙是不是吃得下並不是說Dram本身。而是MC(memory Controller)而且是指不強化信號強度之下的正常作法(一般要是加壓的話,就比較容易達到目的)MC在K8,K10,i7都在CPU,在走FSB的intel cpu在北橋。前者對記憶體要求比較嚴格,後者比較寬鬆。
加電壓能強化訊號強度。使其更穩定的在更少的時間週期之內工作。相對應帶來的缺點就是產生的廢熱跟使用壽命的耗損。這話意思是說高電壓的記憶體會比較穩嗎之前我有看到一款芝奇 DDR2-800 4GB PI Black π (2GB*2)4-4-4-12 黑 1.8V 低電壓低時序版是否就會有不穩的狀況出現否另外對於MC(memory Controller)這新知識名詞有些陌生並不了解他與記憶體有何關聯能說更詳細否現行使用的主機板晶片組是Intel G33
CPU的主要架構依其功能可分為以下幾個部份:1.算術及邏輯運算單元(ALU):負責運算。2.控制單元(CU):翻譯程式中的指令的解碼功能及協調控制各部門依指令執行使電腦自動化處理資料。3.記憶單元(暫存器):儲存目前正要被處理運算的程式或資料。4.輸入單元(Input,I/P):接受輸入的資料或程式,以供進一步處理。5.輸出單元(Output,O/P):負責將CPU處理結果輸出MC(memory Controller)屬於第2項控制單元負責處理器及主記憶體之間的電路訊號溝通..也就是說記憶體控制單元決定主記憶體的種類及運作頻率等...
同意樓上的說法,雖然大部分的人都是拉高CPU外頻為主就是了.不過聽我朋友說記憶體加電壓就可以放心的把時序數值調小了,不知是不是這樣阿?時序值5-5-5-15 1.8v,把電壓調高為2.1後就把時序值拉到4-4-4-12.想請問一下這樣對不對呢?
亞謝理德 wrote:同意樓上的說法,雖然...(恕刪) 記憶體體質不行還是可能不行..還有時候你超了頻(記憶體).. 即使可以開機使用..但是在某些環境可能不穩..所以才會有人喜歡指名要買某種顆粒的記憶體...這跟CPU加壓超頻仍有極限道理一樣...
cupidchen wrote:CPU的主要架構依其...(恕刪) 原來MC是CPU上的技術跟主機板晶片組無關時序高低的決定跟CPU有關是否不知像我現在使用的Intel Q6600 四核心CPU能否吃得下支援滿足低時序板DDR2 800記憶體需求亞謝理德 wrote:同意樓上的說法,雖然...(恕刪) 仿間超頻記憶體多標榜低電壓雖電壓和時序效能有反比正比的關係但市面以低時序強調超頻好像較為不多見似