剛剛買了一個Dell Precision M5510筆電,裡面用的是新的Toshiba XG3 NVMe SSD。

有興趣的話,跟我講你們想要看什麼測試,我有時間我會做

以下是簡單的筆電剛到時的測試


Toshiba XG3 M.2 NVMe 512GB 測試

更新了一堆driver後的結果,分數竟然掉下去了



Toshiba XG3 M.2 NVMe 512GB 測試
Toshiba XG3 M.2 NVMe 512GB 測試

justdreamer wrote:
剛剛買了一個Dell...(恕刪)


看數據比印象中的SATA SSD效能快相當多啊,但寫入相較讀取則慢了許多(但比起舊規格SSD還是快).
不過我覺得應用在行動式裝置,執行程式時,讀取速度比起寫入速度還要重要,所以這種設定也是不錯的.另看報導,這款也強調是企業級的耐用度,更是讓人安心許多.看起來,是一款走向相當均衡SSD.


提外話,建議DELL M5510這台不到1.8公斤的行動工作站逸品,照理說應該要開箱在筆電區才對啊!SSD只是它眾多的亮點之一而已.

亮哥+ wrote:
看數據比印象中的SATA...(恕刪)


最近幾天被工作追,在加上懶。 01沒開箱文,但是網路上已有precision 5510的開箱文。 有空再寫5510感想。

justdreamer wrote:
剛剛買了一個Dell...(恕刪)



我要看CrystalDiskInfo的資訊,記得把序號遮起來!
ttlinker wrote:
我要看CrystalDiskInfo...(恕刪)







不過可能太新,還是不知道是哪個或是哪些driver造成分數變低,有點想放棄了,反正可以用。

螢幕實在是漂亮,喇叭也比一些商業及電腦好,讓我一個有音樂老師執照的朋友聽,她也覺得不錯,也想下一台買一樣的。 她現在再用Dell Latitude E7450,開始不滿意了(她得有I7+16GB RAM+512GB SSD,已經很好了)
想請問大大,Precision 15的原廠的RAM是那個型號的??

謝謝你
只要你去看Acc.time部分,就會發現,其實效能並沒有兩樣了,存取的平均花費時間,才是決定SSD好壞的根本。
寫入部分,無論更換驅動的前後,都是平均0.033ms存取一次,那麼就代表,並沒有加快其運作的速度。至於讀取的差異時間,因為誤差時間過小,所以也可以認定為,是合理的誤差範圍。

4K如果沒有較大變化,那麼在效能判斷上,就基本上可認定,兩者是沒有差異,唯有存取耗時縮短的情況,4K頻寬部分,才有可能因此而提升。而其他所出現的頻寬落差,那是因為快取,或是其他因素而導致的,並非產品真的在效能上有所不同。

如果要了解,驅動到底有什麼實際差別,那麼應該是用乾淨的新系統,而且SSD是非系統碟的方式,並且每一次更換驅動,要執行測試時,都必須重啟系統,並且對SSD產品,執行一次完整格式化,在經過十次測試後,再取其平均值,這樣才能準確知道,是否對效能有所影響。

順便提醒你一點,最好是將驅動,換回電腦預設的版本。
驅動程式這東西,並不是越快越新的就越好,因為DELL原廠在出廠前,都是會對主機,做穩定與可靠度測試的,也只有到最後,驗證沒有問題的驅動版本,才敢作為出廠預設使用,如果你任意去更換其版本,或許目前乍看是不影響,但難保在系統所偵測的紀錄中,未來會不斷出現一些未知的錯誤。
為何套裝電腦,穩定性會勝過組裝機,很大一部份原因,是由此方面而產生影響,只要電腦使用沒有問題,就絕對不要對驅動,做任何的變更或更新行為,因為除了看速度影響外,你並沒有做其他的考量或驗證,這很可能會導致電腦,隱藏危機而不自知。

reebok9527 wrote:
想請問大大,Precision...(恕刪)


SK Hynix.

General Module Information
Module Number: 0
Module Size: 8 GBytes
Memory Type: DDR4 SDRAM
Module Type: SO-DIMM
Memory Speed: 1066.1 MHz (DDR4-2132 / PC4-17000)
Module Manufacturer: SK Hynix
Module Part Number:
Module Revision: 0.0
Module Serial Number:
Module Manufacturing Date: Year: 2016, Week:
Module Manufacturing Location: 1
SDRAM Manufacturer: SK Hynix

Module Characteristics
Row Address Bits: 15
Column Address Bits: 10
Module Density: 4096 Mb
Number Of Ranks: 2
Device Width: 8 bits
Bus Width: 64 bits
Die Count: 1
Module Nominal Voltage (VDD): 1.2 V
Minimum SDRAM Cycle Time (tCKAVGmin): 0.93800 ns
Maximum SDRAM Cycle Time (tCKAVGmax): 1.50000 ns
CAS# Latencies Supported: 9, 11, 12, 13, 14, 15, 16
Minimum CAS# Latency Time (tAAmin): 13.500 ns
Minimum RAS# to CAS# Delay (tRCDmin): 13.500 ns
Minimum Row Precharge Time (tRPmin): 13.500 ns
Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 33.000 ns

Supported Module Timing at 1066.1 MHz: 15-15-15-36
Supported Module Timing at 1000.0 MHz: 14-14-14-33
Supported Module Timing at 933.3 MHz: 13-13-13-31
Supported Module Timing at 866.7 MHz: 12-12-12-29
Supported Module Timing at 800.0 MHz: 11-11-11-27
Supported Module Timing at 666.7 MHz: 9-9-9-22
Supported Module Timing at 600.0 MHz: 9-9-9-20

Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 46.500 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 260.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 160.000 ns
Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 110.000 ns
Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.700 ns
Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.300 ns
Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.628 ns

Features
Module Temperature Sensor (TSOD): Not Supported
Temperature Sensor Location: Front Side
Module Nominal Height: 29 - 30 mm
Module Maximum Thickness (Front): 1 - 2 mm
Module Maximum Thickness (Back): 1 - 2 mm
Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Mirrored

changpizz wrote:
只要你去看Acc.time...(恕刪)


我只用Dell update & Windows update。 剛出來時還有其他問題,像是CrystaldiskInfo讀不到訊息,從RAID換成AHCI才行等。

用了半年,現在是我的主要工作機。

我以前會自己組裝,現在不會了,懶+沒時間。 不過最近手癢,自己幫人換iphone 5S手機電池,發現年紀大了,還是不要去碰那些零件小的東西比較好。

工程師做久了,還是不免會心癢,手癢,有時候自己動手做些東西。

請問有用 AS SSD Benchmark 1.9.5986.35211 新版測試過嗎?

BTW, Toshiba 有提供自己的 driver 跟 utility 可以用 ...

https://ocz.com/ap-en/download/

我選 OCZ RD400/400A ... 共用 ...

PS: 我的是 Asus T303UA
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