Ssd壽命迷思。已有結論。新增YT優良影片

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從壽命來講,TLC會等於MLC
而實際上TLC卻不如mlc,為什麼?
因為廠商強迫大家使用動態SLC快取。
假設先寫資料到slc快取,然後快取又要釋放空間還給tlc,這之間造成多餘的壽命消耗。
Tlc原始寫入速度500mb,很足夠日常使用。

假設tlc可以擦寫1000次,mlc則有2000次,假設儲存空間儲存運算接近100%分散。

Mlc 512G=Tlc 1TB
Mlc塞了500gb的資料,剩餘12gb能反覆擦寫,也就是只能擦寫24000gb
而tlc同樣狀況,卻能達到524000gb。
就算加入slc快取,依然有131000gb的壽命可以消耗。

也就是TLC使用slc快取寫入1gb,而實際壽命消耗是4gb,mlc則是2gb,qlc是8gb

實際速度mlc1000mb. Tlc500mb. qlc250mb

如果能把slc快取關掉,就關掉,因為主控和顆粒溫度會比較高,穩定性較差。
實際顆粒是不變的,變得是廠商的要如何玩儲存顆粒。
以上是個人淺見,歡迎討論

結論是,tlc壽命不一定比mlc差,因為有slc快取,tlc在日常使用速度不會與mlc有太大的差距(除了延遲長了一些),就算是影片工作者,像samsung 970 evo的超大快取也能負擔。壽命差距除了製程,就是主控的好壞了,而且就算是同一種主控,不同的fw,也會造成壽命的差距,企業級tlc一定比一般tlc壽命高,大概就差在這裡。現在tlc就算到2000PE(2000次擦寫),也不一定會壞,所以就算到QLC擦寫次數的問題也不會對日常造成困擾,只要養成不要塞滿硬碟的習慣,估計會比MLC還長壽。
買SSD最重要的,大概是不要貪小便宜,選對產品,SSD多活好幾年。
大家都是認為MLC絕對不會比TLC差,但是隨著產品優化,兩種顆粒已經變成兩種面向的產品,壽命沒有誰比較差的問題。
但是要知道1TB MLC壽命=2TB TLC的壽命,不是1TB對1TB。
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感謝林素毅大大的專業與熱情回覆
以下為對壽命有相關的擷取內容
#6
「關於你說的SSD擦除計數,我是不知道有這保護機制的。
我認為根本沒有。。。。。。如果有,就不用在意每個資料擦寫次數不均了,更不用提倡MLC擦寫次數高了。
結論是不可能記住每一格顆粒到底用了幾次。」

你去測測看erase count到300或到1000之後的速度就知道了,
怎麼可能不可能記住每一個Block的erase count?
不然要怎麼做Wear leveling?
"每個資料擦寫次數不均"所以才要做Wear leveling啊...
2D MLC現在跟3D TLC的erase count是一樣的唷~

另外再順便跟你說一個觀念,因為有一塊為SLC區,然後要再從SLC搬到TLC,
雖然你看起來好像是多搬一次,但實際上對TLC也只有Program一次而已,
而是SLC會被多Program一次,而SLC假設壽命是20k,其實被多program幾次也是合理的,
資料如果可以更有效的在SLC排序並壓縮寫入,其實同樣Erase count的MLC與TLC,
TLC不一定比MLC差,只是fine tune會比較花心力而已

#12
首先"SLC動態快取不是會讓SSD溫度變高"這種奇怪的想法是哪裡來的...
當TLC用跟當SLC用單純只是下的command不同而已...
而且這些command也都是NAND廠商說你可以這樣用喔...
跟壽命多寡 老化是沒有差異的

"而且一個SLC等於4個TLC,雖然速度快了,再轉化的過程對顆粒造成4倍的擦寫量。"
只要一個區塊專門是SLC mode而SLC mode不會切回去TLC mode,
對於TLC mode的區域來說就沒有搬的問題,再來因為SLC mode的PE count假設是可以到20k,
而TLC mode區域只能到3k,在SLC mode中多搬 多整理再寫到TLC mode區域,
這對於寫到TLC裡面的資料更有效,這是更好的,如果直接寫到TLC而動不動就GC,
那對於壽命也好不到哪裡去

#17
http://diy.zol.com.cn/587/5873170.html
TLC SSD耐久第四阶段200TB写入报告出炉
以上提供參考,TLC實際測試早就能超過PE1000
http://diy.zol.com.cn/599/5998200.html
甚至能達到2000PE

https://kknews.cc/zh-tw/digital/g2523ym.html
MLC則能突破3000PE

TLC壽命不低阿
就算之後到QLC時代,壽命也不會成為發展瓶頸。
反而增加SLC快取量還比較重要。
不過在SAMSUNG SSD中,那龐大的快取量,就算是影片工作者,也是遊刃有餘。
72GB快取量,寫入速度每秒超過2000MB,根本不是負擔。

#19
主要是FW的優化,同一種主控也是有可能會分enterprise跟client的FW


pionny wrote:
從壽命來講,TLC...(恕刪)


的確壽命是下降的,不過假設一般Erase count可以到達3000次
那廠商可能就會在Erase count 100次 300次甚至1000次時關掉
所以也不是永遠開著的
另外MLC也是有SLC mode加速,只是因為MLC本身速度不慢所以感覺不大
但不是沒有...
林素毅 wrote:
的確壽命是下降的,不...(恕刪)

但是這中間是加速了SSD的壽命衰減是一定的。
我在這邊要破解的迷思除了這個之外,還有TLC壽命比較差這一點,寫到容量的50%,可用壽命就算用SLC快取也一樣比MLC高。

我在後面的計算上有默默的把MLC X 2,代表有用SLC快取。

顆粒基本上是不變的,只是每單位顆粒要寫入的資料量不一樣。
所以要讀取的時候SLC>MLC>TLC
SLC單位顆粒只要讀取一次
MLC單位顆粒要讀取兩次
TLC則是三次
QLC四次
所以速度是一直除二,容量是一直乘二

pionny wrote:
但是這中間是加速了SSD...(恕刪)


讀三次不代表速度要x3...
因為以目前3D TLC來說 read/program 的時間也因為製程同時縮短了
只單純看"次數"這是不對的...
林素毅 wrote:
讀三次不代表速度要x3...(恕刪)

這部分我是沒有討論到,但是製成越好,耐用性越高,速度越快。
我算是以同一批顆粒來舉例的,也就是理論上應該要.......
像寫入的分散算法,是不可能100%分散的,不過隨著主控的提升,算法也會越來越精進。
而且我是說讀三次,讀取時間要比SLC多4倍。
我這邊都是用「比較」,不是用「絕對」
一直倡導MLC,不一定是正確的,TLC也有TLC的好。

關於你說的SSD擦除計數,我是不知道有這保護機制的。
我認為根本沒有。。。。。。如果有,就不用在意每個資料擦寫次數不均了,更不用提倡MLC擦寫次數高了。
結論是不可能記住每一格顆粒到底用了幾次。
pionny wrote:
這部分我是沒有討論...(恕刪)


「關於你說的SSD擦除計數,我是不知道有這保護機制的。
我認為根本沒有。。。。。。如果有,就不用在意每個資料擦寫次數不均了,更不用提倡MLC擦寫次數高了。
結論是不可能記住每一格顆粒到底用了幾次。」

你去測測看erase count到300或到1000之後的速度就知道了,
怎麼可能不可能記住每一個Block的erase count?
不然要怎麼做Wear leveling?
"每個資料擦寫次數不均"所以才要做Wear leveling啊...
2D MLC現在跟3D TLC的erase count是一樣的唷~

另外再順便跟你說一個觀念,因為有一塊為SLC區,然後要再從SLC搬到TLC,
雖然你看起來好像是多搬一次,但實際上對TLC也只有Program一次而已,
而是SLC會被多Program一次,而SLC假設壽命是20k,其實被多program幾次也是合理的,
資料如果可以更有效的在SLC排序並壓縮寫入,其實同樣Erase count的MLC與TLC,
TLC不一定比MLC差,只是fine tune會比較花心力而已
林素毅 wrote:
「關於你說的SSD擦...(恕刪)

感謝解釋,但是這SLC動態快取不是會讓SSD溫度變高,讓元件老化速度更快嗎?
現在的SLC快取機制不是用原本的TLC模擬成SLC嗎,外部沒有額外的SLC空間。
而且不需要的時候又要把模擬的SLC的資料搬到TLC資料區,原本的SLC又再轉回TLC嗎。
而且一個SLC等於4個TLC,雖然速度快了,再轉化的過程對顆粒造成4倍的擦寫量。

以前好像會外置SLC快取,但現在為了省成本就直接用模擬的方式,花心力又傷SSD。
話雖如此,我認為根本就沒有必要去模擬,TLC 每秒500MB的寫入,早就超過日常使用了,而且我確認過,讀取速度不會受到影響。
也讓元件溫度不過高,減少元件老化,提高穩定性,比較不會突然壞掉。
pionny wrote:

感謝解釋,但是這S...(恕刪)
TLC每秒500MBps寫入....
是假像...
測速軟體 測試1GB 改 32GB.....馬上現形
只有900p 905p 可以即使寫滿都不會降速,又操不掛

小笨賢 wrote:
TLC每秒500MBps...(恕刪)

次世代顆粒不是NAND可比的
3DXPOINT就只有貴的這個缺點 其他各項性能直接屌打NAND
ค้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้้
ya19881217 wrote:


次世代顆粒不是N...(恕刪)
卡頓 這種 在900p身上,根本不會發生
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