chamot wrote:
回到主題,Mk4的...(恕刪)
這次SONY的突破在於CMOS後面加上DRAM，得以實現高速存取
至於前面的背照式CMOS則不受影響
而此次為了強調高速快門、慢動作錄影，自然要選擇光線充足的場合
並非低光高ISO環境就弱了
flysang wrote:
我查過一些有關RS...(恕刪)
堆棧式CMOS比起背照式CMOS，把電路移到後面，又更難製作
所以都是先從小感光元件作起，良率才能接受
而且越小的感光元件越需要壓榨出每一分能力
如果是FF全片幅，用普通CMOS也能打趴小感光元件用上背照式or堆棧式等等一堆新技術
簡單的說，感光元件的技術還是無法超越尺寸優勢
所以就算SONY Z系列手機用上1/2.3"堆棧式CMOS，還是輸RX100系列的1"感光元件
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至於對焦速度又是另一回事
