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強度如太強也可加上減光鏡，
光干涉所有光源也都會遇到，
也不是只有ssmb才會有，
大家都是從光罩設計上去改，
看不出板上半桶水專家斬釘截鐵
說做不出來就是做不出來，
是什麼依據？
ASML使用LPP也曾經被認為做不出來，
但最後還是商業化了，
當然我也是來01哈拉的半桶水，
但是我認為大陸團隊頂級科學家
多的是，沒道理造不出來，
你沒能力不代表別人也沒能力，
更何況台灣的半導體行業是
買外國的機台來生產，
在設備自主化率比對岸還低，
請記得一句話，
人外有人天外有天，
你我覺得自己很厲害，
但是從世界的角度來看，
你我只是很渺小的一個遜咖而已
當初不也一群網路專家說對岸材料技術落後50年,造不出隱形戰機塗料,現在戰機都成隊服役了幾年了
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Sinfield wrote:你到底在說甚麼？
單單的 X光都要厚重的鉛板了...
奈米間隔的鉛板...
同步輻射的波長可調???
再怎麼調也是超強!
同步輻射的EUV就是有EUV該有的波長，扯甚麼X光？
你一篇文章裡不出現小粉紅會很難受嗎？
下面這篇EUV FEL文章，日本人寫的，讀一下吧。
裡面的figure 2跟中國清華的提案是類似的設計(或許中國清華的提案參考這篇?)
雖然技術很困難有待努力，
但是了解一下現在人家想做甚麼，
不要一直用過時的知識說不可能。
High-power EUV free-electron laser for future lithography
看看人家怎麼說EUV FEL可能的好處...
The EUV-FEL light source has several advantages in comparison to the LPP source. The EUV-FEL light source can generate high EUV power of more than 10 kW without tin debris and, as a result, it can provide more than 1 kW EUV power for 10 scanners at the same time without tin contamination to Mo/Si mirrors. Furthermore, the EUV-FEL is upgradable to a BEUV-FEL for finer pattering with a shorter wavelength (6.6–6.7 nm). Also, it can variably control the polarization of the FEL light for high-NA lithography. In addition, the electricity consumption and cost per scanner can be reduced.
後注：剛剛無意間看到上面的內容有錯字，pattering應該是patterning。有那麼多共同作者，且經過同儕審查與期刊編輯的文章竟然還有錯字，真的夠混的了... JJAP這樣不太行
有人懂了一點就把自己澎脹成世界之王了
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01newbie wrote:
SSMB free electron laser
SSMB，就是Steady-State Micro-Bunching，穩態微聚束。 這個“聚束”，說的是電子聚集。 SSMB光源，是說其中的電子在接近光速的情況下，在磁場中偏轉，會在切線方向發出電磁輻射，也就是光。 而這就是同步輻射（SR，Synchrotron Radiation）加速器出光的原理。 電子在加速器裡因為磁場約束繞圈，一秒能幾百萬圈，相當於存放在環裡，一邊繞一邊發射電磁波。 由於電子速度非常高，數量不少，能量也就不低，發出的電磁波就很多。
為什麼叫同步輻射，其實是歷史的誤會，最初發現電子發出切線方向的光，是在通用電器的一個同步加速器裡，所以這麼叫了。 同步輻射光源本身沒有啥同步的，特徵是全光譜、亮度高、窄脈衝、高準直。
全光譜是說，從紅外線到深紫外線（EUV）乃至X射線的光譜都有。 亮度高，就可以像X光機一樣，用來探查物質的內部，而且比X光機功率更高，探查能力更厲害。 其中一些EUV光可以用來作微影研究，前面說了，工業化量產是不行的，效率太低。
「功率較低」就是傳統同步輻射光源的弱點。 雖然同步輻射光比X光機更亮，但是人們總是想要更高功率，工業應用要求很極端，EUV光刻就是一個。 同步輻射光源為什麼功率低，是因為電子束長度太大，沒有相干性，電子發出的電磁輻射是“非相干疊加”，功率就不高了。
1971年提出的改進辦法是「自由電子雷射」FEL（free-electron laser），關鍵是有一個「波蕩器」（Undulator）。 電子產生後直線加速到接近光速，在波蕩器裡偏轉發SR。 但是與電子轉圈的加速器磁場不一樣，這個波蕩器的磁場是震蕩的，透過巧妙的安排，電子束團就會變成「微聚束」長度縮得很短，更加聚集，還有相干性了 ，出來了「相干輻射」（Coherent radiation），功率指數增加直到上限，亮度能比傳統同步輻射高上億倍，當然是脈衝的。
SRF-FEL（SRF是超導射頻）也成為下一代EUV光源的選擇之一，功率是強了，但是造價高。
穩態微聚束的關鍵思想，是在傳統同步輻射加速器的電子儲存環裡面，引入了雷射調製。 原本電子在儲存環裡，形成聚束是用「微波射頻腔」（RF cavity）做的，改用複雜得多的雷射調製系統，加上扭擺磁鐵，橫向縱向下手調製，巧妙地把電子束更加 完美地聚集在一起。 SSMB能在《自然》上發表文章，就是說怎麼實際下手，證明了電子束型態確實更加完美了。
SSMB就產生了和FEL類似的“微聚束”，但是關鍵還加上了“穩態”。 FEL不是穩態，電子團在波蕩器裡自由互相作用，最後發出強光完事。 SSMB是讓電子束在儲存環裡繞圈，這樣就有可能是「穩態」的，對於重複發光很重要。 也就是兩個特性結合：微聚束的相干輻射發強光 + 儲存環高重頻。
清華研究論文認為，這兩個特性結合，SSMB-EUV光源進行光刻就很有潛力。 看起來是比直線的SRF-FEL好，更容易控制。 讓電子束在儲存環裡轉圈，需要強光了，就讓微聚束發出相干輻射，導出EUV光源......
全文與來源-大型 EUV 光刻廠 的設想，靠譜嗎？
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AI最終走向永生避免無聊創造了宇宙與萬物太極粒子百千萬次輪迴自編程黑白兩儀魔方堆疊多序列靈魂魄二向箔
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