jasonhustock wrote:
中國人最厲害的地方就是
它們不會等理論都到位了才做
他們就是蠻幹先 然後從失敗中學習
中國是有計畫的，
都已經到了第14個五年規畫。
人家一次規劃就是出一本書，我們政府上一次寫這麼多字可能是戒嚴威權時期。
2021年，國家制定「十四五」規劃，
為中國未來五年（2021-2025年）定明了前進方向，描繪出發展藍圖。
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國際知名的微電子研究中心IMEC在2023年發布的半導體技術路線圖中指出，通過在電晶體結構、材料、製程等方面的一系列創新，半導體製程有望在2036年達到0.2奈米的里程碑。 這一預測展現了IMEC對半導體技術發展潛力的信心，為業界指明了一條突破物理極限的可行之路
極紫外光（Extreme ultraviolet, EUV）是波長小於13.5 奈米的光，使用EUV 作為光源的曝光機，即為EUV 曝光機 . 光只做出 EUV 光源還不夠的 . EUV機台 還需光學配合 還有EUV MASK 也很特別的 .
DUV 光 193nm 因發現浸潤 就一直用 , 當時開發下一代光源 , 很多波段都有做 , 但 問題太多 , 13.5nm 光波 會被吸收. EUV 用 "全反射" 鏡片 去反射 , 而 電能轉光能 EUV 很小 , 目前 EUV 光源 很多類 . EUV_LPP , EUV_SSMB EUV_DPP
ASML 用的是 雷射電漿（laser-produced plasma，LPP）技術 , 先發射一次 在發射另一次 ,
WIKI
微影製程中若想要優化電路圖案(Pattern)的解析度有兩種做法，一是增加數值孔徑, 二是降低光源波長。EUV微影製程選擇第二中作法,將光源波長降低13.5奈米來提升電路圖案解析度，由於EUV波長太短,非常容易被大氣吸收,因此此道製程需要在真空環境中完成。目前EUV微影製程機台由艾司摩爾所開發出的Twinscan微影機所獨霸一方。
High NA EUV 曝光機=> INTEL 已經買了 , TSMC 還沒買.
BEUV 曝光機下一代 更先進
ASML 聽說要搬去法國 .
FINFET = intel Tri-Gate
GAA = Intel narrow ribbon
GAA
MBCFET
CFET
VSAFET(垂直GAA)
在傳統 cmos 公藝 node 是 只 CMOS FET (平坦 ) channel 多小 , 22nm 後 進入 FINFET 電晶體以立起來 .另外 10NM 那 其實 都不是真說 gate 多少 nm , 所以 IMEC 說 0.2NM 也等效, 另外 三星更厲害 3nm 改名 2nm 直接進階了 .
外媒ZDnet 報導，韓國三星電子決定將第二代3 奈米更名為2 奈米，年底量產。 其實2023 年底就有更名消息，現在確認。 三星已通知客戶和合作夥伴，年初第二代3 奈米更名為2 奈米。 韓國業界人士表示接到三星通知，2023 年就與三星代工廠簽訂第二代3 奈米協議，也將改名為2 奈米，近期需重新擬議。
至於說 三星良率不高. 其實 傳統 CMOS 良率 95~97% , 但 到 16nm 因 漏電等 .. 很多連在 TSMC投 . 因 漏電 或 雜訊. 實際上 chip , 良率沒有以前 CMOS 90% 那樣高 , 但是 , 現況 16nm 下就如此 , finfet 的 sdt_cell 分 HVT SVT LVT 更有攻耗分, 所以很麻煩的 , 更別提 5nm 下 . 電晶體或許可用, 但 CHIP 的特性過不了 , 良率就不高.
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說得好，這麽對標的確是在吹f35。[笑]
J20可比F35那個小短腿強多了！即將服役的J35也必然强過美國的那個半成品F35。
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Tracy k wrote:
ASML使用LPP也曾經被認為做不出來，
但最後還是商業化了，
...(恕刪)
好久沒來看這個帖子嘞
ASML本身根本沒有製作EUV的能力
ASML購併Cymer才有光源
此技術來自美國
ASML當初的驗收標準
250W, 125 wafer per hour(WPH)
ASML花了N代集合眾家之力才量產
光路是Zeiss設計
最主要的反光鏡形狀誤差50pm
光源是德國Trumpp 的雷射照錫滴產生13.6nm波長
集歐美的技術整合而成
臺積電要用
主要是看商業化的指標
第一代EUV的標準是
250W,125WPH
拿一堆論文出來
只是定性的研究
定量根本不是學術界在研究的
一堆小粉紅只拿期刊來說’可能性‘
又不是沒寫過SCI 的論文
我以前研究深蝕刻發過不少
就算是要技轉給廠商要商業化
一堆教授的專長是研究
但定量化比的是實務設計師
寫了N年論文懂實務設計？
上下游製程整合有那些要考慮到
本來就不是教授會做的事
ASML幾十年的研發經驗走了N次錯誤才有現在的量產機
以理論來說
Canon的奈米壓印理論早已經成熟
Canon不知道發了多少篇論文
花了20年
還是沒有徹底解決壓印的平整性產生的良率
然後每隔幾年就發個消息有突破
然後就沒有了
量產機與發論文根本就是兩回事
一個定量與商業化考量， 一個是證明這個方法可能有用
業界只會說
WPH多少？yield多少
然後Canon 20年就噴了⋯
單這技術指標
商業化的路不知多長
Nikon與Canon都打退堂鼓了
只拿學術論文來辯
就知到是紙上談兵～
反正我們就等著看吧⋯
PS：要談頂級的半導體技術
沒有人在看Q4的JJAP
又不是沒在美國混過
美國學術界top 10才不在乎
Stupid Chinese Index
我有港梯在台大電機任教
他看的上眼的
就是頂級conference
ISSCC
還有IEDM
拿JJAP…
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不吃菜菜小娃 wrote:
這個嗎？Trump的...(恕刪)
應該是Trumpp, 不是Trump川普...
Trumpp本來就很有名
ASML用Trumpp的CO2雷射激發錫滴放出13.5nm波長的EUV
據GG現場主管說多級放大至35KW
至於GG為什麼不用High NA...
多年前夢到...
台積電現有 EUV 的光源 已由 250W 改機至 350W 預計可撐到 1 奈米製程或 2030 年 因此在此之前比之英特爾 台積電顯然更具成本優勢 儘管目前英特爾累積訂單已有六台 然而 ASML 本次出貨是英特爾早在 2018 年 就下單採購的試驗款 Twinscan EXE:5000 設備 英特爾將用它來加強學習 如何使用高數值孔徑EUV機器投入其 18A 製程技術 以便在 2025 年部署商業等級 Twinscan EXE:5200 機台進行量產前 能從中獲得寶貴經驗 而台積電真正鎖定的 則是再下一代的 5400 機型
純粹是作夢
完全沒有考證
別噴我...
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High NA不是普通貴
因為看光路系統就知道
從1.6噸暴漲至12噸
EUV 3400D系列都快2億美金
光路重量暴漲N倍才賣3億美金???
我才不相信
量產型不知道幾億...
GG當然縮了一下
打太快了[笑到噴淚][笑到噴淚]
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不可能的、做不出來的。
