我知道1450與酸民一定會酸言酸語
不過沒關係
只要東西造出來了
剩下來的就只是怎麼優化的問題了
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先不論這個產出的EUV光源穩定度與強度如何
即使這個光源本身的品質達標
其距離可商業化的光刻機, 還是有蠻遙遠的距離
EUV光的產出技術在2000年初期就已經出現, 甚至2006年就有兩台原型機出現
可是ASML 第一部商品化光刻機在2017年才問世, 中間間隔了11年
中國要進行技術追趕不是完全做不到, 但是目前的困難是要獨力追趕,
在相關技術可能一片空白的情況下, 困難度可能非外人所能想像
而這也是外界對於中國自製EUV光刻機抱持悲觀態度的最大原因
另外即使10年後中國排除萬難, 自製成功EUV光刻機
在落後ASML 18年的情況下, 這個EUV光刻機真的能與ASML 屆時的產品相提並論??
要打破這種技術困境, 一種方式是進行國際合作, 加速開發的速度
如最近俄國也宣布要進行EUV光刻機的開發,
https://technews.tw/2024/12/19/russia-plans-euv-chipmaking-tools/
另一種方式則是利用現有大批高級研發人力
直接開發EUV下一代產品以進行彎道超車
我想以上兩種方式才是最符合中國利益的作法
參考資料:
https://www.itri.org.tw/ListStyle.aspx?DisplayStyle=18_content&SiteID=1&MmmID=1036452026061075714&MGID=1130253432751423527
ASML是由無到有，中國是後者追趕前者，有前車可鑑，根本不需要17年去研發。
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過客4112 wrote:
這個標題誇張了點, 對岸充其量只是找到了不同於 ASML EUV的光源技術
先不論這個產出的EUV光源穩定度與強度如何
即使這個光源本身的品質達標
其距離可商業化的光刻機, 還是有蠻遙遠的距離
2024年初，中国自主研发的28纳米浸没式光刻机正式实现量产。
这台设备的研发历程可谓艰难重重，但成果令人瞩目：设备90%以上的核心零部件实现自主化，可通过多重曝光技术支持14纳米乃至7纳米制程。
SSA800-10W的自主化率高达90%。例如，其核心光学部件——45片镜组，完全由国内供应链提供；同时，高精度激光干涉仪和气浮导轨技术均实现了自主化。这一设备推出不到一年便获得12台订单
其價格僅為ASML的30分之一...
2024年12月，ASML CEO溫寧在接受採訪時，對中國28奈米光刻機的出口表現出強烈的不滿他聲稱：「雖然我們及其夥伴國已經停止向中國出口光刻機，但中國也不能出口光刻機，否則這將破壞行業秩序。 “這一言論被外界解讀為對中國技術突破的極度不安。
但是光刻机精度可不是只靠说的，氟化氩光刻机分辨率65纳米，套刻精度8纳米，和顶尖EUV光刻机比还有两代差距，還需要時間...
但是從華為身上看到他用堆疊記數已經能實現7奈米甚至低於7奈米製程晶片的效能...而且能量產...
這份報告的結論令人振奮，國產麒麟9010.9020晶片在性能上與台積電的5nm晶元持平，甚至在某些方面還有所超越。
更令人驚訝的是，這款晶片完全依賴老舊的DUV光刻機製造，徹底擺脫了對EUV光刻設備的依賴。
已經有的技術做出來有什麼好意外的？山寨國最會逆向工程了不是？[偷笑]
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