MING CHAN wrote:小弟想知道用了42M...(恕刪) (一)高ISO背照式(BSI)之所以能提高感光能力,是將原本在像素前方的布線層轉移到像素後方,讓原本被線路遮蔽而浪費掉的光子也可被利用。小片幅的布線層佔比高,因此改成BSI後效果提升明顯;但大片幅原本布線層的佔比就較少,改成BSI後的升級感相對較小。Sony這次下重本採用全幅BSI,高感能力只是附加價值,真正的目的在於利用BSI+銅線大幅提升訊號傳輸速度,解決無反相機的感光元件負荷過重之情形,連帶提升高像素時的對焦、追焦、連拍速度等全幅無反相機的罩門(不要忘記Sony的相機在全電子快門、連拍和B快門時,都會被迫從14bit降為12bit,以減少資料量),且讓相機有餘力提供內建4K錄影、消除果凍效果的高速快門等功能,因此不需對A7RII的高ISO表現有過度神化的期待。Sony官方在訪談中也確認了A7RII的高感約和A7R相當,並沒有傳言中的高出一、兩級。不過以一般縮圖處理來說,高像素縮圖後,取樣的樣本越多,能連帶提升影像的訊躁比。以A7R和A7S來作對比:根據DXO的SNR18%數據,當兩者都將相片縮至800萬像素時,「純淨度」差不到1/3級。因此除非您從不縮圖,否則無需擔心A7RII的高ISO表現。(二)動態範圍動態範圍(DR)是最亮和最暗的比值,因此DR的上限是像素滿井容量,下限則是讀取雜訊(亦即訊號門檻)。和A7R相比,由於片幅不變、像素增加,因此滿井容量應會下降;但由於像素增加,且改採電阻更低的銅線,故讀取雜訊應會減少。根據Sony的官方說法,A7RII的DR將會比A7R更好,這點可以放心。但不能忽略的是:Sony在A7RII仍採用ARW 2.2.3的(11+7)bit破壞性壓縮,因此縱使DR增加,RAW檔的色彩深度仍受限於每16像素的7bit限制,在高反差或平滑的背景中,仍可能有斷階的情形。只能期待Sony儘速兌現「提供無損RAW格式」的承諾。另外回應前面大大的問題:Sony目前在CMOS製程上還停在180nm,確實輸三星NX1的65nm,不過仍贏Canon的500nm。而且大片幅的BSI非常考驗技術力及製造成本,Sony光是有能力推出世界首款消費級全幅BSI,其CIS之頂尖技術力已無庸置疑。
人生苦旅 wrote:(一)高ISO背照...(恕刪) 很詳細的解說~感謝萬分~我也是很在乎A7R和R2兩者在RAW檔的差距~其他的反而不太在乎~另外好奇問一下~既然三星在工藝上能做出比Sony更好的FF BSI CMOS~為何不出? 就算沒出FF賣給其他廠商也是沒問題吧...是FF的良率太差?還是其他原因?
fivesharp wrote:三爽連手機都採用SONY...(恕刪) canon的部分dc也用sony sensor,我想只是單純不想產這種萎靡市場的sensor而已一直以來sony 都一直是sensor供應商,就算手機怎麼賣怎麼虧,至少這塊能賺錢,跟廠商合作肯定有其密切性samsung是後起之秀,產能跟廠商配合方面看來還有一段路走,而且日本韓國世仇嘛……
orionlee wrote:換個角度想, 明明用0.18um 製程即可設計的CIS, 必須要用到更先進的65nm技術是否代表設計功力較差?跑65nm技術的油錢可比0.18um高出不少.... 以半導體來說0.18nm是20年前的主流製程0.65nm是10年前的主流製程小弟2007年拜訪茂德當時DRAM產業大慘他們就有用0.65nm製程生產CMOS SENSOR以消化DRAM過剩產能的計畫聽說也有樣品出來了結果當然茂德還是倒了所以製程微縮技術在SENSOR這個產業應該不是關鍵技術設計能力和良率可能才是重點
MING CHAN wrote:小弟想知道用了42MP背照式感光元件的A7R2,可用高ISO,暗位對焦 及 動態範圍,這3方面比之36MP的A7R,會是有所提昇,進步多嗎? 還是會變差??這幾點影響小弟是否決定升級A7R2 其實比起這幾點BSI CMOS有個更重大的意義就是對斜射光接收的大幅改善這個改善可能會改變整個相機產業鏡頭設計的走向初試 Sony A7R II 轉接幾支旁軸超廣角鏡我們也許可以期待只有300g的下一代FE 16-35mm F4